Zobrazeno 1 - 10
of 66
pro vyhledávání: '"K.A. Tallman"'
Autor:
L. Leuenberger, K.A. Tallman, H.-Y.H. Kim, E. Schott, S.J. Cochran, M.B. Fessler, J.S. Bednash, J.C. Horowitz, S. Pannu, N.A. Porter, K.M. Gowdy
Publikováno v:
D21. TRANSLATIONAL COVID-19 STUDIES.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e45194abfb72dee596c1abc4a4de14ca
https://doi.org/10.1164/ajrccm-conference.2023.207.1_meetingabstracts.a6290
https://doi.org/10.1164/ajrccm-conference.2023.207.1_meetingabstracts.a6290
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
D.J. Schepis, F. Assaderaghi, D.S. Yee, W. Rausch, R.J. Bolam, A.C. Ajmera, E. Leobandung, S.B. Kulkarni, R. Flaker, D. Sadana, H.J. Hovel, T. Kebede, C. Schiller, S. Wu, L.F. Wagner, M.J. Saccamango, S. Ratanaphanyarat, J.B. Kuang, M.C. Hsieh, K.A. Tallman, R.M. Martino, D. Fitzpatrick, D.A. Badami, M. Hakey, S.F. Chu, B. Davari, G.G. Shahidi
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting. IEDM Technical Digest.
In this paper a 0.25 /spl mu/m SOI CMOS technology is described. It uses undepleted SOI devices with nominal channel length of 0.15 /spl mu/m, minimum channel length in the 0.1 /spl mu/m range, supply voltage of 1.8 V, local interconnect, 6 levels of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::80b9cbf658047ce5c4a793037a5aaacf
https://doi.org/10.1109/iedm.1997.650453
https://doi.org/10.1109/iedm.1997.650453
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.