Zobrazeno 1 - 10
of 129
pro vyhledávání: '"K.-M. Hung"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Cormac Ó Coileáin, Ching-Ray Chang, Tsung-Yin Tsai, Han-Chun Wu, Duan Zhang, K.-M. Hung, Yanfeng Zhao, Gang Wu, Yuh-Renn Wu, Yue Zhao
Publikováno v:
ACS Applied Materials & Interfaces. 13:47198-47207
The fabrication of graphene/SnS2 van der Waals photodetectors and their photoelectrical properties are systematically investigated. It was found that a dry transferred graphene/SnS2 van der Waals heterostructure had a broadband sensing range from ult
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Zhi Wang, Ke-Qiu Chen, Duan Zhang, Zhaotan Jiang, Tsung-Yin Tsai, Yuh-Renn Wu, Juncheng Li, Huei-Ru Fuh, Sunil K. Arora, Yanhui Lv, K.-M. Hung, Cormac Ó Coileáin, Ching-Ray Chang, Tung-Ho Shieh, Han-Chun Wu, Wenjie Yan
Publikováno v:
Nature Communications, Vol 12, Iss 1, Pp 1-9 (2021)
Nature Communications
Nature Communications
There is an emergent demand for high-flexibility, high-sensitivity and low-power strain gauges capable of sensing small deformations and vibrations in extreme conditions. Enhancing the gauge factor remains one of the greatest challenges for strain se
Autor:
Yanhui Lv, C. L. Heng, Cormac Ó Coileáin, Ching-Ray Chang, Hui Li, K.-M. Hung, Duan Zhang, Han-Chun Wu, Huang Hsiang Cheng
Publikováno v:
RSC advances. 10(35)
GeSn is a group IV alloy material with a narrow bandgap, making it favorable for applications in sensing and imaging. However, strong surface carrier recombination is a limiting factor. To overcome this, we investigate the broadband photoelectrical p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.