Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"K.-H. Bach"'
Autor:
J. Albers, A. Schuppen, R. Gotzfried, H. Dietrich, K.-H. Bach, U. Seiler, F. Beisswanger, S. Gerlach
Publikováno v:
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 46:661-668
We report on design aspects and the implementation of RF integrated circuits (RFIC's) using TEMIC's SiGe heterojunction bipolar transistor (HBT) technology. SiGe HBT's with 50-GHz f/sub T/ and f/sub max/ were obtained by a production process includin
Autor:
K.-H. Bach, Valipe Ramgopal Rao, R. Mahnkopf, Angada B. Sachid, Maryam Shojaei Baghini, Roswald Francis, Dinesh K. Sharma
Publikováno v:
2008 IEEE International Electron Devices Meeting.
Sub-20 nm gate length FinFETs, are constrained by the very thin fin thickness (TFIN) necessary to maintain acceptable short-channel performance. For the 45 nm technology node and below, a novel device design methodology for undoped underlapped FinFET
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.