Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"K. Wrenner"'
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 58:1268-1270
The electron mobility in p‐type GaAs, μpe, has been determined as a function of temperature by measuring the common‐emitter cutoff frequency, fT, of an AlGaAs/GaAs n‐p‐n heterojunction bipolar transistor. The base was 0.6 μm thick and it wa
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::875ce3e1185d666d9f17d38c76ad5e8b
https://doi.org/10.1063/1.104332
https://doi.org/10.1063/1.104332
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 52:654-656
The mobility of electrons in p‐type GaAs, μPn has been determined by measuring the common emitter cutoff frequency fT of heterojunction bipolar transistors with a wide, uniformly doped base. At 295 K, μPn =1150 cm2/(V s) is found for a hole conce
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5db2a33447397f56f7941bbdb69a5781
https://doi.org/10.1063/1.99395
https://doi.org/10.1063/1.99395
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.