Zobrazeno 1 - 10
of 14
pro vyhledávání: '"K. Vaed"'
Publikováno v:
Journal of Microelectromechanical Systems. 13:514-525
The selective removal of the substrate from under devices can help improve Q-factors, reduce losses and parasitics and can be applied to microwave components (transmission lines, spiral inductors, and capacitors) critical to high-frequency communicat
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8c32604a6bc31f4d3d8a8bc708ea80c0
https://doi.org/10.1109/jmems.2004.828737
https://doi.org/10.1109/jmems.2004.828737
Autor:
John E. Florkey, T.S.D. Cheung, R. Volant, Christopher M. Schnabel, Kenneth J. Stein, K. Vaed, Z.X. He, J.R. Long, Anil K. Chinthakindi
Publikováno v:
CICC
Differential shielding reduces substrate losses and improves the Q-factor of a monolithic inductor on silicon by up to 35% without process modification or a patterned ground shield. Peak Qs of 32 for 4 /spl mu/m thick aluminum and 28 for 2.3 /spl mu/
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::073cf0cd9fb7594312842b4a678c4afd
https://doi.org/10.1109/cicc.2003.1249367
https://doi.org/10.1109/cicc.2003.1249367
Autor:
Marwan H. Khater, David R. Greenberg, S.-J. Jeng, K. Stein, Jae-Sung Rieh, David C. Ahlgren, K. Vaed, John E. Florkey, Peter Andrew Smith, Seshadri Subbanna, H. Chen, David Angell, Anil K. Chinthakindi, Francois Pagette, Andreas D. Stricker, Richard P. Volant, F. Golan, Christopher M. Schnabel, Basanth Jagannathan, Gregory G. Freeman, Kathryn T. Schonenberg
Publikováno v:
Digest. International Electron Devices Meeting.
This work reports on SiGe HBTs with f/sub T/ of 350 GHz. This is the highest reported f/sub T/ for any Si-based transistor as well as any bipolar transistor. Associated f/sub max/ is 170 GHz, and BV/sub CEO/ and BV/sub CBO/ are measured to be 1.4 V a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3eb5e20cdfd23e4485fb0c398c7834c2
https://doi.org/10.1109/iedm.2002.1175952
https://doi.org/10.1109/iedm.2002.1175952
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.