Zobrazeno 1 - 10
of 344
pro vyhledávání: '"K. Thonke"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
H. Bracht, K. Thonke, S. Frank, Paul J. Ziemann, Wladimir Schoch, Andreas Waag, V. Avrutin, Michael Krieger, Wolfgang Limmer, S. Brotzmann, A. Koeder, Rolf Sauer, K. Zuern
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 82:3278-3280
We report on detailed investigations of the electronic and magnetic properties of ferromagnetic GaMnAs layers, which have been fabricated by low-temperature molecular-beam epitaxy. Superconducting quantum interference device measurements reveal a dec
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e9a0a1c24704f9974b91204ee67fc70b
https://doi.org/10.1063/1.1573369
https://doi.org/10.1063/1.1573369
Autor:
T. Schupp, T. Meisch, B. Neuschl, M. Feneberg, K. Thonke, K. Lischka, D. J. As, Gabriel Ferro, Paul Siffert
Publikováno v:
AIP Conference Proceedings.
Zinc‐blende GaN quantum dots were grown on 3C‐AlN(001) by two different methods in a molecular beam epitaxy system. The quantum dots in method A were fabricated by the Stranski‐Krastanov growth process. The quantum dots in method B were fabrica
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ce06917bb316725d5f5abceb4efd49ce
https://doi.org/10.1063/1.3518287
https://doi.org/10.1063/1.3518287
Autor:
J. Brückner, Manuel Decker, J. Zeller, Heinz Kalt, Andreas Waag, C. Klingshirn, Robert Hauschild, H. Priller, H. Wehmann K. Thonke, F. Reuss, Rolf Sauer, Ch. Kirchner, R. Kling, Andrey Bakin
Publikováno v:
Advances in Solid State Physics ISBN: 3540260412
Summary. In the first chapters we give some short comments on the history of ZnO research and on growth, doping, transport, and deep centers, topics which will be covered in more detail by other contributions to this symposium “ZnOrediscovered”.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ebab4db9f7e54406de2a13f556dfb98d
https://doi.org/10.1007/11423256_22
https://doi.org/10.1007/11423256_22
Publikováno v:
MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research. 10
We report on the time-resolved luminescence of the defect-related violet band from undoped AlN epitaxial layers grown on sapphire and SiC. For both measurements in photoluminescence and in cathodoluminescence a decay of algebraic nature at long times
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b55fc88a858cebc88631e19bdb0463e3
https://doi.org/10.1557/s1092578300000545
https://doi.org/10.1557/s1092578300000545
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Physical review. B, Condensed matter. 43(3)
We present highly resolved photoluminescence (PL) and absorption spectra of the internal d-d-shell transitions at ${\mathrm{Fe}}^{2+}$ in InP and the related phonon sidebands. By use of the Fourier-transform-infrared technique, the signal-to-noise ra
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::fbd35212c5cda845782e62942b7073b5
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/9997497
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/9997497
Autor:
H. D. Müller, J. Schneider, W. Rothemund, N. Herres, K. Thonke, P. Hiesinger, John D. Ralston, P. Wennekers, Frank Fuchs, J. Schmälzlin, H. Ennen
A detailed study is presented of the structural, electrical, and optical properties of ErAs films grown on GaAs by molecular beam epitaxy (MBE). ErAs layers 1500A thick were grown successfully over a relatively wide range of substrate temperatures (4
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::aac5b296e4ed5abb2ec6ccef56af0edd
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/179198
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/179198
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.