Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Immunity to protozoan parasite infection (PP-002)

Autor: H. Watanabe, P. Salotra, A. Yano, Mohsen Abolhassani, Mohammad Hossein Alimohammadian, M. Abdul Hafeez, F. Afrin, H. M. Snider, Amir Mizbani, C. H. N. Costa, Ali Khamesipour, M. Razavi, H. Xia, A. Zavaran Hoseini, R. Burchmore, Christopher A. Hunter, M. Makino, R. Correa-Oliveira, C. Shimokawa, A. P. Barral, M. Narita, E. M. Silva, R. K. M. T. Bairam, A. M. Silva, H. Borges, K. Nagamune, M. Suzuki, P. Hagan, R. M. A. Carvalho, M. Nakaya, F. Jafari, Fabio T. M. Costa, M. A. H. Khan, N. Ohta, P. Guirnalda, L. S. Elias, K. Takeshima, K. Hirayama, R. S. Vaz, D. Dasgupta, Gerson Chadi, T. K. Khiong, L. Cui, I. Bechmann, V. Dara, A. Östlund Farrants, Tajie H. Harris, P. Giusti, R. H. Panatieri, S. Rebelo, J. Uzonna, L. I. A. Pereira, K. Suzue, E. N. Miller, K. Suzuki, J. S. Wiley, Arlene H. Sharpe, Y. Kitamura, S. M. B. Jeronimo, M. P. Lees, F. D. Pretel, C. D. Gowda, L. Renia, L. M. G. Bahia-Oliveira, M. M. Molaei, Joseph Barbi, J. Argueta, S. Kobayashi, Z. Mou, N. C. Smith, Kayhan Azadmanesh, L. C. Ndhlovu, Y. Beuzard, J. Chavatte, Caroline C. Whitacre, M. Tasleem, Stephanie Seveau, A. Dolo, P. Giri, S. I. Castillo-Mendéz, S. Ajdary, Farnaz Zahedifard, G. A. DosReis, Houri Rezvan, X. Olivares López, F. Aosai, S. G. Yasawardene, M. Akhtar, A. U. Haq, J. Tavares, Jude E. Uzonna, M. I. Hiyane, L. Gutiérrez-Kobeh, S. Hamano, R. L. Rocha, C. M. V. Vendrame, C. E. Rosas-Jorquera, B. Niang, M. Islamuddin, E. Vannier, M. Rasouli, Bahram Kazemi, N. Khansari, Samaneh Saberi, S. A. Kaba, S. Dias, B. Mbengue, M. Mauduit, Hiva Azizi, D. E. Lanar, N. R. Palha, A. Ferreira, H. Goto, B. Lu, A. Yoshida, Y. Hamzavi, Kazumi Norose, S. Soeng, A. Gorgin karaji, Y. Chinzei, G. K. Katara, A. Dieye, Luiz Roberto Sardinha, Nicholas Zorko, M. Troye-Blomberg, Karina R. Bortoluci, A. A. Oeij, O. Doumbo, Y. Yamaguchi, L. Castellucci, M. Takahashi, Tahere Taheri, A. Gruner, H. Yoshida, Yasaman Taslimi, B. S. Dwarakanath, S. Rojas Hernández, N. Ishii, K. Honma, A. A. A. Mohammady, A. Latifynia, A. Khodadadi, N. Vega Martínez, S. Koyasu, B. Malleret, Akitoshi Kikumura, M. F. Lopes, E. Houpt, Masoud Moradi, J. V. Weyenbergh, N. Uemura, R. M. Siegel, S. Magez, C. Brando, E. Salles, K. Sugamura, Y. Miyahira, M. Moroda, A. Shibuya, Q. Guo, M. M. Awais, Samar Kumar Guha, Tracy L. Keiser, D. Liu, S. Boström, B. Traoré, L. D. Souza, M. R. D'Império-Lima, W. F. Pereira, P. Burkhard, L. V. C. Guillermo, Carlos Penha-Gonçalves, M. Carrasco Yépez, C. Mittelholzer, C. M. Gomes, Abhay R. Satoskar, H. Daneshvar, H. Hara, A. Kanayama, M. Kayibanda, H. Maruyama, C. Arama, A. Asao, T. Tamura, M. Barral-Netto, N. T. Huy, H. Kamiabi, S. A. Pinto, C. Claser, José M. Alvarez, R. Ramasamy, T. Kanda-Taniguchi, M. Kikuchi, T. Susy, Lígia A. Gonçalves, F. Ginhoux, Abdolmajid Fata, Srijit Khan, H. Nekouie, M. L. Dorta, A. Lima-Neto, A. L. Peixoto-Rangel, M. R. D'Império Lima, V. Khase Shahgoli, H. Hisaeda, S. Black, A. Raz, V. Bockstal, K. Salgado, R. Campos Rodríguez, W. V. Parreira, S. Varani, T. Ono, C. A. Zago, M. Miyakoda, M. Nateghi-Rostami, L. C. Reis, M. Yamazaki, F. Montalvão, Sedigheh Zakeri, M. Doroudian, M. D. T. Carvalho, A. Henri, F. L. Ribeiro-Gomes, D. Kimura, A. Montes de Oca, V. Ramesh, E. M. Carvalho, B. Diatta, Danuta Radzioch, Patrick K. Reville, L. Roubaix, L. F. Batista, A. Cordeiro-da-Silva, Mojtaba Sankian, M. E. McCoy, G. Chouhan, J. M. Blackwell, M. Irfan Anwar, P. Teo, Rima McLeod, R. Udomsangpetch, M. P. Soares, M. Udagawa, Q. Gao, F. Ribeiro-Dias, B. L. Lima, K. Kimura, Y. Inamine, E. Belnoue, Â. Chora, N. D. Jadid, M. Yasunami, A. R. K. Goldberg, S. Hejazi, S. E. Jamieson, P. Bonilla-us, J. Kalil, Mahmoud Eshagh Hosseini, M. J. Gharagozlou, L. C. Oliveira, A. Alborzi, M. Mahmoudian Sani, N. S. Vellozo, A. Farooque, Mohammad Ali Nilforoushzadeh, S. R. Phillips, Q. Fang, T. Imai, T. Taniguchi, S. Phompida, I. Bujila, D. Iravani, P. Jia, I. Hussain, F. Ahmad, M. Senba, T. Yanagi, N. Hosseini, R. Perraut, S. J. Fuller, Hannah E. Cummings, S. Umemoto, M. K. Mannoor, K. Jangpatarapongsa, K. Yui, C. Li, A. Varasteh, T. A. P. F. Pimentel, D. L. Costa, F. A. Asteal, A. Barral, E. Ramos Sanchez, Kenji Shibuya, Sima Rafati, M. N. Shuaibu, Saqib Ali, Barbara Papadopoulou, G. K. Helegbe, Nastaran Ansari, J. Sattabongkot, S. Kiany, Christian Rommel, T. Wickramarachchi, H. H. Wortis, J. Yamada, M. Inahuku, F. Abrishami, P. V. Udagama-Randeniya, E. P. Amaral, F. Muhammad, Thomas Rückle, B. Li, M. Resende, A. Vigario, A. F. Frade, Y. Yang, André Luis Bombeiro, M. Yuda, P. Reville, G. Snounou, Craig Gerard, H. M. Niknam, M. A. P. Oliveira, T. Hoshino, R. G. Peixe, S. Zavosh, V. Thomaz-Soccol, S. Inam, Graham H. Coombs

Publikováno v: International Immunology. 22:i23-i35

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::48bc48488ba5971047b7270e9674826a
https://doi.org/10.1093/intimm/dxq077

Ohmic contacts and schottky barriers to n-GaN

Autor: E. E. Haller, Wook Kim, K. Suzue, Hadis Morkoç, K. Duxstad, O. Aktas, Z.F. Fan, A. Botchkarev, S. N. Mohammad

Publikováno v: Journal of Electronic Materials. 25:1703-1708

Gallium nitride is a highly promising wide bandgap semiconductor with applications in high power electronic devices and optoelectronic devices. For these devices to be realized, metallization, both ohmic and rectifying must be available. In this manu

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::81184be3fdb9e87c34ef3b86f2eb0bea
https://doi.org/10.1007/s11664-996-0025-0

Characteristics of in situ deposited GaAs metal-insulator-semiconductor structures

Autor: J. E. Van Nostrand, G.B. Gao, D. G. Park, David G. Cahill, Hadis Morkoç, S. J. Chey, Meng Tao, Z.F. Fan, S.N. Mohammad, Daizhen Li, A. Botchkarev, S. K. Suzue, J. Reed

Publikováno v: Solid-State Electronics. 38:1351-1357

GaAs based metal-insulator-semiconductor structures utilizing a pseudomorphic Si interface layer were investigated. Deposition involved molecular beam epitaxy for GaAs and remote plasma enhanced chemical vapor epitaxy for Si and insulator (Si 3 N 4 )

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a3d2f3ecf47f68548a6e4533159682f7
https://doi.org/10.1016/0038-1101(94)00267-j

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.