Zobrazeno 1 - 10
of 505
pro vyhledávání: '"K. Suu"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
K. Honda, K.-C. Lee, Hiroyuki Miyazoe, John Rozen, M. Hatanaka, T. Ando, Y. Ogawa, John Bruley, Vijay Narayanan, K. Suu, Ruqiang Bao, Eduard A. Cartier
Publikováno v:
2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
A baseline TiAl-containing ALD electrode is established, with properties in line with reported workfunction (WF) materials for scaled RMG nFETs, values below 4.6eV requiring a 25A layer. Furthermore, a novel ALD metal-compound material, MX, is shown
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1cc1b64dbdfd122386b8a767dd8baaa1
https://doi.org/10.1109/iedm19573.2019.8993672
https://doi.org/10.1109/iedm19573.2019.8993672
Autor:
K. Suu, G. Fraczak, Wanki Kim, Stefano Ambrogio, M. Longstreet, Jin-Ping Han, T. Masuda, Fabio Carta, Praneet Adusumilli, John Bruley, Nanbo Gong, Matthew J. BrightSky, Robert L. Bruce, Hsinyu Tsai
Publikováno v:
2019 Symposium on VLSI Technology.
We have demonstrated, for the first time, a combination of outstanding linearity of analog programming with matched PCM pairs, small analog programming noise, an extremely low resistance drift (R-drift) coefficient (0.005, median) and high endurance
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cad9d0f7b94965319c66cc0ff3f38c14
https://doi.org/10.23919/vlsit.2019.8776551
https://doi.org/10.23919/vlsit.2019.8776551
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
K. Suu, Sangbum Kim, Yu Zhu, Chung H. Lam, Norma E. Sosa, Daisuke Mori, Wanki Kim, Matthew J. BrightSky
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 63:3922-3927
Relatively large noise of phase change material is one of the obstacles for realization of multilevel cell (MLC) using phase change memory (PCM) technology. We experimentally verify that the noise in PCM can be lowered as much as $\sim 4$ times by a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::372ba41315d48370b7b56113207a837c
https://doi.org/10.1109/ted.2016.2600100
https://doi.org/10.1109/ted.2016.2600100
Autor:
J. Rozen, Y. Ogawa, M. Hatanaka, T. Ando, E. Cartier, M.M. Frank, M. Hopstaken, J. Bruley, K.-T. Lee, J.-B. Yau, Y. Sun, R.L. Bruce, C. D'Emic, X. Sun, K. Suu, R.T. Mo, E. Leobandung, V. Narayanan
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::647169d610a6f88134c73cb5c035e338
https://doi.org/10.7567/ssdm.2018.c-8-02
https://doi.org/10.7567/ssdm.2018.c-8-02
Autor:
Robert L. Bruce, Yu Zhu, Sangbum Kim, Asit Kumar Ray, Wanki Kim, G. Fraczak, Judy J. Cha, T. Masuda, C. Lam, Matthew J. BrightSky, Fabio Carta, Yujun Xie, K. Suu, Y. Kim
Publikováno v:
IRPS
We demonstrate outstanding resistance-drift (R-drift) mitigation and void elimination as reliability benefits of a thin metallic liner. By tuning the resistivity of the liner, the confined PCM with a metallic liner yields an extremely low R-drift coe
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1ddb8ae792152d669646f2a898ad08bc
https://doi.org/10.1109/irps.2018.8353636
https://doi.org/10.1109/irps.2018.8353636
Publikováno v:
2017 19th International Conference on Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems (TRANSDUCERS).
All-solid-state thin-film secondary batteries have come to be recognized as one of the key enabling technologies for stand-alone MEMS/sensor devices which are essential for internet of things. However, metallic lithium, which is commonly used as an a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5415520d0ffbc6f73fff99b201ae20fa
https://doi.org/10.1109/transducers.2017.7994436
https://doi.org/10.1109/transducers.2017.7994436
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.