Zobrazeno 1 - 10
of 67
pro vyhledávání: '"K. Sreenu"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
FlatChem. 13:1-7
Tungsten based materials have attracted substantial attention due to their potential applications in environmental remediation in the form of degrading organic pollutants to less harmful byproducts. In continuation of search for better photocatalytic
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b1d56aae4804efb12166de8543b3eedc
https://doi.org/10.1016/j.flatc.2018.12.005
https://doi.org/10.1016/j.flatc.2018.12.005
Autor:
Radha Velchuri, M. Malathi, K. Sreenu, Gundeboina Ravi, Ch. Sudhakar Reddy, Ravinder Guje, Muga Vithal, P Vijaya Kumar
Publikováno v:
Journal of Chemical Sciences. 129:1193-1203
In this work, we have studied the structural behavior of Fluortie-type (F-type) Ce-based oxides of compositions $$\hbox {Ln}_{2}\hbox {Ce}_{2}\hbox {O}_{7}$$ ( $$\hbox {Ln} = \hbox {Pr}$$ , Nd and Eu). F-type oxides can be considered as multi-functio
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fb47ef0b62d252d7bd185690713ebf52
https://doi.org/10.1007/s12039-017-1321-3
https://doi.org/10.1007/s12039-017-1321-3
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials. 46:5746-5754
A Ti/Orange G/p-InP metal/interlayer/semiconductor (MIS) junction has been prepared with Orange G (OG) organic layer by electron beam evaporation and spin coating processes. The electrical properties of Ti/p-InP metal/semiconductor (MS) and Ti/OG/p-I
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c791b5c17b1f15a6d69d8590cc2a35fb
https://doi.org/10.1007/s11664-017-5611-9
https://doi.org/10.1007/s11664-017-5611-9
Publikováno v:
Journal of Alloys and Compounds. 695:2587-2596
A thin polyethylene oxide (PEO) is formed on p-type InP substrate as an interlayer for electronic alteration of the Ti/p-InP metal/semiconductor (MS) junction. The electrical and frequency dependence characteristics of the Ti/PEO/p-InP metal/interlay
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e7e0543bc3083dc6ef2381e638a6a191
https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2016.11.165
https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2016.11.165
Autor:
REDDY, CH1, K, SREENU1, REDDY, J1, PADMASRI, A2, GUNDEBOINA, RAVI1, VITHAL, M1 muga_vithal@osmania.ac.in
Publikováno v:
Journal of Chemical Sciences. Apr2016, Vol. 128 Issue 4, p663-670. 8p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 28:4847-4855
This paper reviews the electrical and transport properties of Ti/polyvinylpyrrolidone (PVP)/p-InP metal/interlayer/semiconductor (MIS) Schottky diode and compared its results with the Ti/p-InP metal/semiconductor (MS) diode. Analysis results showed t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d5e65876159bc60dc1cb5669e3c4c9c8
https://doi.org/10.1007/s10854-016-6131-8
https://doi.org/10.1007/s10854-016-6131-8
Publikováno v:
Advanced Materials Letters. 7:536-541
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b7320e7498d51a4c01a966b2e8716b1d
https://doi.org/10.5185/amlett.2016.6073
https://doi.org/10.5185/amlett.2016.6073