Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"K. Sphabmixay"'
Autor:
D. Roan, Marius K. Orlowski, Daniel T. Pham, M. Zavala, Alexander L. Barr, K. Sphabmixay, R. Rai, A. Duvallet, Bich-Yen Nguyen, A. Vandooren, J. Schaeffer, S. Samavedam, M. Huang, Leo Mathew, Tab A. Stephens, Bruce E. White, J. Hughes, Yang Du, Marc A. Rossow, J. Mogab, Dina H. Triyoso, Aaron Thean, S. Egley, I. To, Thuy B. Dao, Ted R. White
Publikováno v:
IEEE International Electron Devices Meeting 2003.
We report for the first time, the digital and analog performance of sub-100nm Fully-Depleted Silicon-On-Insulator (SOI) n and p-MOSFETs using TaSiN gate and HfO/sub 2/ dielectric with elevated Source/Drain (SD) extensions. As CMOS technology continue
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::757374a79686d4b35ff78e9441c54811
https://doi.org/10.1109/iedm.2003.1269441
https://doi.org/10.1109/iedm.2003.1269441
Autor:
Leo Mathew, K. Sphabmixay, Alex Barr, J. Schaeffer, S. Murphy, Daniel T. Pham, R. Rai, D. Roan, Bich-Yen Nguyen, I. To, J. Mogab, A. Vandooren, J. Hughes, D. Eades, Dina H. Triyoso, B. Goolsby, Bruce E. White, S. Kalpat, Tab A. Stephens, M. Huang, A. Duvallet, Marc A. Rossow, Ted R. White, M. Zavala, Thuy B. Dao, Yang Du, Aaron Thean, S. Egley
Publikováno v:
Digest of Technical Papers. 2004 Symposium on VLSI Technology, 2004..
In this paper, we report the performance and reliability of sub-100nm TaSiN metal gate fully depleted SOI devices with high-k gate dielectric. Performance differences between fully-depleted and partially-depleted devices are highlighted. This is also
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c62fa03fd390dcef4ea9acf56d6bd350
https://doi.org/10.1109/vlsit.2004.1345420
https://doi.org/10.1109/vlsit.2004.1345420
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.