Zobrazeno 1 - 10
of 12
pro vyhledávání: '"K. Schupke"'
Publikováno v:
Solid State Phenomena. :71-76
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d8bc4f1c68dc458a587b2f3288897bbb
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.65-66.71
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.65-66.71
Autor:
U. Zimmermann, Tobias Mono, T. Tran, D. Temmler, F. Ludwig, Arnd Scholz, J. Hartwich, G. Wedler, Hans-Peter Moll, Andrew Graham, W. Muller, K. Schupke, S. Slesazek, Lars Heineck, Inho Park
Publikováno v:
2007 IEEE Symposium on VLSI Technology.
We report an enabling technology for 40 nm trench DRAM and beyond. The 3-dimensional array transistor is formed self-aligned (SA) to the deep trench (DT) capacitor; and the single-sided strap contact (SC) connecting the array transistor to the trench
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5188836875fb80628e8ada8533f9d3ff
https://doi.org/10.1109/vlsit.2007.4339687
https://doi.org/10.1109/vlsit.2007.4339687
Autor:
M. Gutsche, T. Hecht, A. Birner, T. Popp, Stephan Kudelka, Hans Reisinger, H. Seidl, Stefan Jakschik, J. Luetzen, Martin Kerber, Andreas Orth, A. Saenger, K. Schupke, Uwe Schroeder, B. Sell
Publikováno v:
Digest. International Electron Devices Meeting.
For the first time, fully integrated 128 Mb trench DRAMs using Al/sub 2/O/sub 3/ as high-k node dielectric in silicon-insulator-silicon (SIS) capacitors were successfully fabricated. A highly manufacturable integration scheme for Al/sub 2/O/sub 3/ as
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4b1dfeb5ae466000177ff4c214c672f4
https://doi.org/10.1109/iedm.2002.1175968
https://doi.org/10.1109/iedm.2002.1175968
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 23:1877
A detailed investigation of in situ-doped polysilicon emitters with interfacial oxide employed in implanted-base Si bipolar junction and epitaxial-base silicon/germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistors is presented. In order to tune and con
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8705c56a958ce417c4014b018010db8e
https://doi.org/10.1116/1.2006134
https://doi.org/10.1116/1.2006134
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.