Výsledky vyhledávání - "K. Rahim Bakash"

UV-to-NIR broadband photodetecting sensors using n-TiO2 nanorods/p-Si heterojunction in lateral and vertical configurations

Autor: Nanda Kumar Reddy Nallabala, Lokendra P. Singh, C. Yuvaraj, Sangaraju Sambasivam, Suresh Kumar, Muthukonda Venkatakrishnan Shankar, Salh Alhammadi, Sunil Singh Kushvaha, Venkata Krishnaiah Kummara, K. Rahim Bakash, Vasudeva Reddy Minnam Reddy

Publikováno v: Applied Physics A. 129

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fc4699c067b3002ef910ce63cce47e65
https://doi.org/10.1007/s00339-023-06649-3

Zobrazit plný text záznamu

Self-powered and improved photoresponsive broadband photodetecting sensors using Au/NiFe2O4/p-Si heterojunction architecture

Autor: Nanda Kumar Reddy Nallabala, Sunil Singh Kushvaha, A. Kumari, V.R. Singh, V.K. Verma, S. Kaleemulla, Lokendra P. Singh, S.A.K. Jilani, S.V. Prabhakar Vattikuti, K. Rahim Bakash, Sangaraju Sambasivam, Jaesool Shim

Publikováno v: Materials Science in Semiconductor Processing. 156:107266

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3e9d71831a50e02902eba1ab400cfffb
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2022.107266

Zobrazit plný text záznamu

Enhanced photoresponse performance in GaN based symmetric type MSM ultraviolet-A and MIS ultraviolet-A to C photodetectors

Autor: Nanda Kumar Reddy Nallabala, Vasudeva Reddy Minnam Reddy, V.R. Singh, K. Rahim Bakash, Suresh Kumar, Debabratha Saha, Vellaichamy Mahendran, Venkata Krishnaiah Kummara, Gopi Krishna Guntupalli, S.V. Prabhakar Vattikuti

Publikováno v: Sensors and Actuators A: Physical. 339:113502

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8317bdfb94826f025079216bfaed3d82
https://doi.org/10.1016/j.sna.2022.113502

Zobrazit plný text záznamu

AN ASSESSMENT ON ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF Ni/n-Si SCHOTTKY RECTIFIERS WITH AND WITHOUT Ta2O5 INTERFACIAL OXIDE LAYER

Autor: Virendra Kumar Verma, P. Ananda, N. Nanda Kumar Reddy, K. Rahim Bakash

Publikováno v: Surface Review and Letters. 26:1950073

We have fabricated Ni/[Formula: see text]-Si metal–semiconductor (MS) and Ni/Ta2O5/[Formula: see text]-Si metal-insulator–semiconductor (MIS) Schottky barrier diodes at room temperature and studied their current density–voltage (J–V) and capa

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::08a356e27c61aa6182112875770a96e8
https://doi.org/10.1142/s0218625x19500732

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.