Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"K. Pomplun"'
Publikováno v:
Thin Solid Films. 443:97-107
Chemical vapor deposition of tungsten silicide into high aspect ratio trenches has been investigated using a commercial 8-inch Applied Materials Centura single wafer deposition tool. For an in-depth study of both step coverage and stoichiometry, a co
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::405480bcdb21b5394cf9cd3a5b54c6fb
https://doi.org/10.1016/s0040-6090(03)00922-2
https://doi.org/10.1016/s0040-6090(03)00922-2
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 90:3578-3584
Fluorine segregation influences the intrinsic reliability of thin gate oxides in poly-Si/SiO2/Si structures. We analyze diffusion and segregation kinetics of F in gate stacks with 5 nm gate oxides using secondary ion mass spectroscopy. Well defined d
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::40987692ae54d6d94714af4f7407c8ee
https://doi.org/10.1063/1.1402140
https://doi.org/10.1063/1.1402140
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 19:2174-2180
We have investigated the effects of sample rotation and ion energy reduction on the quality of ion sputtering assisted Auger electron spectroscopy depth profiling of W/WNx and WSix films on polysilicon substrates. Rotation significantly improves both
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7ab1c2d76ec6032433410d28edc010f4
https://doi.org/10.1116/1.1378073
https://doi.org/10.1116/1.1378073
Autor:
K. Pomplun, Dirk Schumann, Josef Willer, Bernhard Sell, Annette Sänger, Wolfgang H. Krautschneider
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 55:197-203
In today’s ULSI technology there is an increasing demand in metal electrodes for storage capacitors and transistors. In this publication we present an investigation of MOS capacitor structures with CVD tungsten silicide (WSi x ) as metal electrode
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e3ccdc769db4bc547e9cefcce79e6fba
https://doi.org/10.1016/s0167-9317(00)00448-2
https://doi.org/10.1016/s0167-9317(00)00448-2
Publikováno v:
Microelectronics Reliability. 40:1335-1340
We analyze diffusion and segregation kinetics of fluorine atoms in poly-Si / SiO2 / Si structures with gate oxides of 5 nm by means of secondary ion mass spectroscopy. Well defined doses of fluorine were introduced by ion implantation. Our results in
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::89d323d8b7c2a5159b2fdafc56fe5b4f
https://doi.org/10.1016/s0026-2714(00)00125-6
https://doi.org/10.1016/s0026-2714(00)00125-6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.