Zobrazeno 1 - 10
of 33
pro vyhledávání: '"K. Pieger"'
Publikováno v:
ISPRS Annals of the Photogrammetry, Remote Sensing and Spatial Information Sciences, Vol IV-2-W7, Pp 161-166 (2019)
The sugar beet is the primary source of sugar in Europe and large parts of the world. Tools to determine plant traits with high precision and high throughput are required for the breeding process to quantify the effects of genetic and environmental f
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/20fdea6395924a73a7894960f99c7680
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
ISPRS Annals of the Photogrammetry, Remote Sensing and Spatial Information Sciences, Vol IV-2-W7, Pp 161-166 (2019)
The sugar beet is the primary source of sugar in Europe and large parts of the world. Tools to determine plant traits with high precision and high throughput are required for the breeding process to quantify the effects of genetic and environmental f
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Physical Review B. 50:7467-7473
Publikováno v:
Surface Science. 267:263-266
We have developed InGaAs/GaAs wires by using the lateral modulation of the top barrier material of the quantum well substrates to obtain a lateral confinement. Our approach provides buried wires without the creation of defects in the active regions.
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology. 9:896-898
We have investigated thermalization and band renormalization in zero-dimensional electron-hole plasmas in InGaAs/GaAs quantum dots with geometrical widths down to 24 nm by time-resolved photoluminescence spectroscopy. Our experiments indicate a reduc
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 61:1199-1201
We have fabricated buried InGaAs/GaAs quantum wires with widths down to 35 nm by using a novel and simple approach. The essential technological step is a selective wet etch process by which the material of the top GaAs barrier layer of a quantum well
Publikováno v:
Biomedizinische Technik/Biomedical Engineering. :43-44