Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"K. Permthammasin"'
Publikováno v:
2006 International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems.
New lateral power MOSFETs employing two different, non-uniform, column-shaped superjunction (SJ) structures are proposed for use in smart power ICs that require voltage ratings up to 600V. Using three-dimensional device simulations, the basic electri
Publikováno v:
2006 25th International Conference on Microelectronics.
The inductive switching performance of a smart super-junction (SJ) LDMOS switch is simulated and analysed, together with the reverse recovery properties of its internal diode. The SJ power switch under investigation differs from the conventional one
Publikováno v:
2005 International Conference On Simulation of Semiconductor Processes and Devices.
A novel 600V super-junction (SJ) power LDMOS device with two different designs of SJ structures has been proposed. The basic SJ structure consists of a number of p-type round pillars buried in an n-type drift layer down to a p-type substrate. Perform
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.