Zobrazeno 1 - 10
of 44
pro vyhledávání: '"K. Parab"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of The Electrochemical Society. 143:3784-3790
This paper describes a physically based Monte Carlo model and simulator for accurate simulation of BF{sub 2} ion implantation in (100) single-crystal silicon. An improved electronic stopping model and a damage generation model have been developed and
Autor:
Al F. Tasch, Dennis Kamenitsa, Charles W. Magee, B. Freer, R. Reece, K. Parab, S. Tian, S. Morris, S.-H. Yang, Robert B. Simonton
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 112:144-147
In this paper is reported a systematic study of the effect of dose rate (ion beam current) on ion implanted impurity profiles in single-crystal silicon. A close examination of the effect of dose rate on as-implanted profiles reveals that for both bor
Autor:
Charles W. Magee, Al F. Tasch, B. Freer, Robert B. Simonton, D. Kamenitsa, K. Parab, R. Reece, S.-H. Yang, S. Tian, S. Morris
Publikováno v:
Journal of The Electrochemical Society. 142:3215-3219
The effect of dose rate on ion implanted impurity profiles in single-crystal silicon has been carefully and systematically examined. It is found that for both boron (light mass) and arsenic (heavy mass), the dose rate has a small but clearly observab
Autor:
Al F. Tasch, S. Morris, S. Tian, M. Morris, R. Simonton, K. Parab, S.-H. Yang, D. Kamenitsa, C. Magee, B. Obradovich
Publikováno v:
MRS Proceedings. 396
With increasing levels of integration, future generations of integrated circuit technology will require extremely shallow dopant profiles. Ion implantation has long been used in semiconductor material processing and will be a vitally important techni
Autor:
John D. Joannopoulos, S.-H. Yang, Al F. Tasch, S. Morris, S. Tian, K. Parab, Rodrigo B. Capaz, P. M. Echenique
Publikováno v:
MRS Proceedings. 389
In this paper is reported the development and implementation of a new local electronic stopping model for arsenic ion implantation into single-crystal silicon. Monte Carlo binary collision (MCBC) models are appropriate for studying channeling effects
Publikováno v:
MRS Proceedings. 396
A 2-D model for boron implantation into (100) silicon through overlying oxide layers has been developed and implemented into the process simulator FLOOPS. This model is both accurate and computationally efficient and shows explicit dependencies on al
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.