Zobrazeno 1 - 10
of 142
pro vyhledávání: '"K. Opsomer"'
Autor:
A. Velea, K. Opsomer, W. Devulder, J. Dumortier, J. Fan, C. Detavernier, M. Jurczak, B. Govoreanu
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 7, Iss 1, Pp 1-12 (2017)
Abstract The implementation of dense, one-selector one-resistor (1S1R), resistive switching memory arrays, can be achieved with an appropriate selector for correct information storage and retrieval. Ovonic threshold switches (OTS) based on chalcogeni
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2bd26a42955f4c44a4582f06d5722f80
Autor:
S. Ramesh, K. Banerjee, K. Opsomer, I. Rachita, J. P. Bastos, J-Ph. Soulie, F. Sebaai, P. Favia, M. Korytov, O. Richard, L. Breuil, A. Arreghini, G. Van Den Bosch, M. Rosmeulen
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 43:2085-2088
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2165175b501c1f0cd49d1682028a245c
https://doi.org/10.1109/led.2022.3212105
https://doi.org/10.1109/led.2022.3212105
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ludovic Goux, F. De Stefano, Michel Houssa, Malgorzata Jurczak, K. Opsomer, Andre Stesmans, Valery V. Afanas'ev
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 109:156-159
Graphical abstractDisplay Omitted HighlightsInterface barriers for electrons at Al2O3/metal interfaces can be controlled by liners.Tantalum and titanium liners allow for >1eV barrier lowering at Cu/Al2O3 interface.Application of Hf liner is hindered
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::97fce9ca04774961cb080a08c3b4f4a6
https://doi.org/10.1016/j.mee.2013.03.088
https://doi.org/10.1016/j.mee.2013.03.088
Ge deep sub-micron HiK/MG pFETs with superior drive compared to Si HiK/MG state-of-the-art reference
Autor:
B De Jaeger, B Kaczer, P Zimmerman, K Opsomer, G Winderickx, J Van Steenbergen, E Van Moorhem, V Terzieva, R Bonzom, F Leys, C Arena, M Bauer, C Werkhoven, M Caymax, M Meuris, M Heyns
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology. 22:S221-S226
This paper presents results on conventional, deep sub-micron short-channel Ge p-and nFET devices with a HiK/MG gate stack and NiGe source/drain regions. It is shown that the mobility enhancement observed in long channel Ge pFETs as compared to Si pFE
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0b52e3255be3a96783eb66037eacc6cf
https://doi.org/10.1088/0268-1242/22/1/s52
https://doi.org/10.1088/0268-1242/22/1/s52
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
