Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"K. Opolczynska"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Andrzej Jeżowski, K. Moszak, Jarosław Serafińczuk, W. Olszewski, K. Opolczynska, A. Filatova-Zalewska, Detlef Hommel, Damian Pucicki, Z. Litwicki
Publikováno v:
Nanotechnology. 32:075707
High thermal conductivity is an important parameter for nitride-based power electronic and deep-UV light emitters. Especially in the latter case short period superlattices and multicomponent alloys are used and the knowledge of the thermal properties
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::08bba47426ecc03be1ea7cb519d090c0
https://doi.org/10.1088/1361-6528/abc5f2
https://doi.org/10.1088/1361-6528/abc5f2
Autor:
K. Moszak, Damian Pucicki, M. Rudziński, Jarosław Serafińczuk, W. Olszewski, Detlef Hommel, K. Opolczynska, Robert Kudrawiec
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 126:165304
Selection of a suitable chemical etching method for threading dislocations density estimation is crucial for the structural characterization of epilayers grown by MOVPE and thus further for device fabrication. In this work, threading dislocations den
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6c54d99d444c99c74170b03b9f63787e
https://doi.org/10.1063/1.5100140
https://doi.org/10.1063/1.5100140
Autor:
Ewelina Zdanowicz, D. Hommel, Jarosław Serafińczuk, M. Grodzicki, J.-G. Rousset, K. Komorowska, D. Majchrzak, K. Opolczynska, Robert Kudrawiec, P. Ciechanowicz, E. Piskorska-Hommel
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 115:092106
GaNAs layers with a low As concentration (As ≤ 0.6%) have been grown by molecular beam epitaxy and studied by structural and optical methods. It has been observed that the incorporation of a small amount of As atoms into the GaN host leads to a sig
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9cce303e894d5abcadacc8c0adaf840a
https://doi.org/10.1063/1.5110245
https://doi.org/10.1063/1.5110245
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.