Zobrazeno 1 - 10
of 21
pro vyhledávání: '"K. Ookoshi"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
T. Miyashita, K. Ikeda, Y. S. Kim, T. Yamamoto, Y. Sambonsugi, H. Ochimizu, T. Sakoda, M. Okuno, H. Minakata, H. Ohta, Y. Hayami, K. Ookoshi, Y. Shimamune, M. Fukuda, A. Hatada, K. Okabe, T. Kubo, M. Tajima, E. Motoh, T. Owada, M. Nakamura, H. Kudo, T. Sawada, J. Nagayama, A. Satoh, T. Mori, A. Hasegawa, H. Kurata, K. Sukegawa, A. Tsukune, S. Yamaguchi, M. Kase, T. Futatsugi, S. Satoh, T. Sugii
Publikováno v:
2007 IEEE International Electron Devices Meeting.
We present an aggressively-scaled high-performance and low-power bulk CMOS platform technology aiming at large-scale (multi-core) high-end use with 45-nm ground rule. By utilizing a high-epsilon offset spacer and FET specific multiple-stressors with
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e94a4a6d73edad87e81ccea5e1deeaad
https://doi.org/10.1109/iedm.2007.4418915
https://doi.org/10.1109/iedm.2007.4418915
Autor:
H. Nagai, Manabu Kojima, Toshihiko Mori, Masataka Kase, Y. Takao, K. Hashimoto, H. Morioka, K. Ookoshi
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2007 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c765f2b3978c4c7ddb3b4f340f220e8e
https://doi.org/10.7567/ssdm.2007.b-7-1
https://doi.org/10.7567/ssdm.2007.b-7-1
Publikováno v:
2006 International Workshop on Junction Technology.
The solid-phase epitaxial regrowth (SPER) junction technologies focusing on high-performance device applications have been investigated. It is found that poly-depletion during SPER and subsequent sidewall (SW) formation with disposable sidewall (DSW)
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::42220326e7008e7ea5d1bc4cf48ad3cc
https://doi.org/10.1109/iwjt.2006.1669455
https://doi.org/10.1109/iwjt.2006.1669455
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.