Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"K. Nafisr"'
Autor:
C.W. Huang, L. Holcman, D. Fung, H.V. Meer, C.F. Hsu, C.H. Chen, J. Fernandez, Benjamin Colombeau, Y.T. Tasi, B.N. Guo, H.P. Chen, Kyu-Ha Shim, J. Kuo, H.C. Feng, M. Hou, S.A. Huang, K. Nafisr, S.Y. Liu, J.C. Lin, T.Y. Wen, G.C. Hung, C.l. Li, S. Lee, N.H. Yang, B. Yang, J.Y. Wu, C.C. Huang
Publikováno v:
2019 Symposium on VLSI Technology.
In advanced FinFET devices, STI gap fill and $\vert \text{LD}_{0}$ stress are responsible for fin defects, fin bending as well as device performance degradations due to the local layout effect (LLE). In this paper, for the first time, we look at diff
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8fa75ef549216eb99834f908eeeebe5a
https://doi.org/10.23919/vlsit.2019.8776517
https://doi.org/10.23919/vlsit.2019.8776517
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.