Zobrazeno 1 - 10
of 72
pro vyhledávání: '"K. N. Kang"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. 609:042065
Recently, it is real to recognize the importance of airtightness performance and it has become mandatory to measure airtightness performance measurement through various standards in Korea. In Korea, air tightness performance is measured using blower
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
J. I. Lee, Young Dong Kim, K. N. Kang, S. J. Rhee, W. J. Choi, I. K. Han, Sun Ho Kim, S. G. Choi, J. C. Woo, D. H. Woo, David E. Aspnes, S. D. Yoo, H. J. Kim, S. Lee
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. :265-270
We present optical studies of a series of GaAs/AlAs short period superlattices grown by molecular beam epitaxy. The structural properties were examined by X-ray diffraction measurements. The quantum confinement of the electronic and the vibronic stat
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 81:6986-6991
The degradation behavior of the sulfur-treated InP surface at relatively low temperature has been investigated with x-ray photoelectron and photoluminescence (PL) spectroscopy. The results showed that the treated surfaces were oxidized to In2O3, InPO
Autor:
W. S. Kim, Hyoung Joon Choi, S. C. Hohng, H. S. Ko, Dai-Sik Kim, K. N. Kang, Jisoon Ihm, S. J. Rhee, J. C. Woo, D. H. Woo, Y. H. Yee, Y. M. Kim
Publikováno v:
Physical Review B. 54:14580-14588
We study by photoluminescence excitation the heretofore unsolved puzzle of a significant charge transfer over a thick ~100 to 1500 A ! AlxGa12xAs barrier in GaAs/AlxGa12xAs asymmetric double quantum wells, which the normally considered tunneling cann
Autor:
H. L. Park, H. Lim, I. K. Han, J. I. Lee, K. N. Kang, Hyun-Jai Kim, Eun Kyu Kim, S. H. Kim, Dong Ho Woo
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 80:4052-4057
The effect of sulfur (S) treatments on InP is investigated by low‐temperature photoluminescence (PL) measurements. For both n‐ and p‐InP, the PL intensity is observed to increase about four times in magnitude if the scattering by the S overlaye
Publikováno v:
Journal of Materials Science Letters. 21:1739-1741
The spatially selective band gap tuning of quantum well structure has been an essential tool to realize the integration of optoelectronic or photonic devices on a single wafer [1, 2]. Quantum well disordering (QWD) techniques are widely employed for