Zobrazeno 1 - 10
of 14
pro vyhledávání: '"K. Muthuseenu"'
Autor:
Saeed Zeinolabedinzadeh, Ani Khachatrian, Stephen P. Buchner, Ebrahim M. Al Seragi, K. Muthuseenu, John D. Cressler, Dale McMorrow, Subhra Dash, Hugh J. Barnaby
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 69:2154-2161
This paper presents novel radiation hardening design techniques to substantially reduce the single event effects (SEE) on high-frequency receivers subject to various radiations when operating in space. A W-band (75-110 GHz) receiver front-end impleme
Autor:
M. Y. Vyrostkov, K. B. Bu-Khasan, A. Privat, T. A. Maksimenko, A. E. Koziukov, A. A. Kalashnikova, Kenneth F. Galloway, Hugh J. Barnaby, K. Muthuseenu
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 68:4004-4009
This article presents design for a 650-V super-junction (SJ) power metal–oxide–semiconductor field effect transistor (MOSFET) which improves tolerance to both single-event burnout (SEB) and single-event gate rupture (SEGR). Experimental measureme
Autor:
A. A. Kalashnikova, A. Privat, K. B. Bu-Khasan, Aleksandr E. Koziukov, K. Muthuseenu, M. Y. Vyrostkov, Kenneth F. Galloway, Hugh J. Barnaby, T. A. Maksimenko
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 68:611-616
This article compares and analyzes the single-event gate rupture (SEGR) response of silicon planar gate super-junction (SJ) power metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) and vertical double diffused power MOSFETs (VDMOSs). When a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2019 19th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS).
Publikováno v:
Microelectronics Reliability. 113:113947
Temperature variation on board can have a significant impact on electronic circuit parameters. In this paper, we investigate and model how both irradiated NPN and PNP-Bipolar Junction Transistors (BJTs) at room temperature respond electrically to tem
Publikováno v:
Microelectronics Reliability. 104:113554
The total ionizing dose radiation response of metal-nitride-oxide-semiconductor capacitors are examined. Capacitors with different oxide and nitride thickness combinations are fabricated and irradiated using a Co-60 gamma source. Electrical character
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.