Zobrazeno 1 - 10
of 47
pro vyhledávání: '"K. Moriizumi"'
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 48:35-38
We propose a novel technique of direct oxidation of Si surfaces using activated oxygen species which can react with Si surfaces to form SiO 2 at low temperatures ( < 500 °C). Specific oxidation mechanisms have been revealed, and the atomic level pla
Publikováno v:
IEEE Intelligent Vehicles Symposium, 2004.
The objective of developing "ITS" is to realize driver convenience systems represented by ACC (adaptive cruise control), and to create active safety systems that realize an excellent vehicle safety performance. From February of last year we have, for
Autor:
Y. Hayashide, M. Asakura, T. Katayama, A. Yoshida, Tsuyoshi Horikawa, Teruo Shibano, K. Sato, Hiroshi Kimura, T. Maruyama, S. Kishimura, Y. Ohno, T. Nishimura, H. Sumitani, K. Moriizumi, K. Namba, Hirokazu Miyoshi, H. Itoh, Shin'ichi Satoh, Takahisa Eimori, J. Matsufusa
Publikováno v:
Proceedings of IEEE International Electron Devices Meeting.
Thin film of (Ba/sub 0.75/Sr/sub 0.25/)TiO/sub 3/ with equivalent SiO/sub 2/ thickness of 0.47 nm has been developed for capacitor dielectric film of 256 Mbit DRAM. A novel cell design named FOGOS (FOlded Global and Open Segment bit-line cell) struct
Publikováno v:
Proceedings of IEEE Multi-Chip Module Conference (MCMC-94).
FUJITSU has developed an MCM-D technology which uses bare chips on composite thin films for mounting CMOS chips with high density and low cost. The first use of this technology is for the K6000 Series business server. This MCM technology can be appli
Publikováno v:
SP-205: Finite Element Analysis of Reinforced Concrete Structures.
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 1998 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A. N. Broers, K. Moriizumi
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 11:2114
The GHOST method is well known proximity effect correction scheme which is simple and accurate, and requires no extensive computer calculations. Although the tolerances on dose and beam diameter of correction exposure have been studied by several res
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.