Zobrazeno 1 - 10
of 107
pro vyhledávání: '"K. Mineo"'
Autor:
Kamil Goc, Akito Takasaki, Cz. Kapusta, Agnieszka Radziszewska, Witold Prendota, Janusz Przewoźnik, Łukasz Gondek, K. Mineo
Publikováno v:
International Journal of Hydrogen Energy. 43:20836-20842
Magnesium hydride is a very interesting material suggested to be used for storing hydrogen because of its high capacity (∼7.5 wt%). However its application is limited by high decomposition temperature and poor kinetics. This paper presents results
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 116:252103
In this study, we examined the effects of doping chlorine (Cl) into crystalline selenium (c-Se) on diminishing the tellurium-diffusion-induced shallow acceptor states associated with the dangling bonds that appear at the ends of Se chains by theoreti
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2017 IEEE SENSORS.
In this study, a high-efficiency and low dark current thin-film crystalline selenium (c-Se)/gallium oxide (Ga2O3) heterojunction photodiode is demonstrated via improving the deposition conditions for the tellurium nucleation layer that prevents the p
Autor:
Rebecca Garabed, Heather K. Mineo
Publikováno v:
American Journal of Veterinary Research. 68:1342-1347
Objective—To evaluate a bench-top coagulation analyzer for determination of prothrombin time (PT), activated partial thromboplastin time (APTT), and fibrinogen concentration in healthy dogs. Animals—55 healthy adult dogs. Procedures—PT, APTT, a
Publikováno v:
physica status solidi (c). :29-33
Amorphous GaN films were deposited using a compound-source molecular beam epitaxy technique. Electroluminescent devices were also fabricated using the deposited films. The devices were operated using sine wave voltage at room temperature. One of the
Deposition of Amorphous GaN by Compound Source Molecular Beam Epitaxy for Electroluminescent Devices
Publikováno v:
physica status solidi (a). 192:461-465
Amorphous GaN films were deposited using compound source MBE. GaN powder was used as the source material and no additional nitrogen sources were supplied. Although the N/Ga ratio in the layers deposited at temperatures lower than 400 °C was low, an
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.