Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"K. Michael Han"'
Autor:
Lakshmi Kanta Bera, Navab Singh, Ze Yu Chen, Calvin Chua Hung Ming, King Jien Chui, Ravinder Pal Singh, Yee Ye Sheng, Surasit Chung, K. Michael Han, Ka Ren Chong, Dim Lee Kwong
Publikováno v:
Materials Science Forum. 1062:528-532
Metal-oxide-semiconductor capacitors with single and multi-layer high-K gate dielectrics on Si (0001) face of n-type 4H-SiC substrates have been investigated. Multi-layered nanolaminated gate-stack comprises alternating ultrathin (6nm) Al2O3 and HfO2
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::19ed6f99146f2ff8f41bb426093f045f
https://doi.org/10.4028/p-oajc69
https://doi.org/10.4028/p-oajc69
Autor:
Dena Giovinazzo, Mohammad Ashjitou, Jean Yang-Scharlotta, K. Michael Han, Mohammad Morjarradi, Daniel Costanzo
Publikováno v:
2020 IEEE Aerospace Conference.
This work investigates the electrical performance of a high speed general purpose operation amplifier, OPA2356, operating under cryogenic temperature -180°C. Evidence of cryogenic-induced instability of OPA2356 was experimentally observed and repeat
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::680e1d4bb825a1e70d5195ce4d902915
https://doi.org/10.1109/aero47225.2020.9172517
https://doi.org/10.1109/aero47225.2020.9172517
Publikováno v:
2017 IEEE International Integrated Reliability Workshop (IIRW).
Independent and coupled effects of radiation and endurance on commercial NAND Flash memory is studied using pulsed programming enabled by interrupting the programming command at the chip-level. The effects of total ionization dose (TID) and endurance
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::901ae2724f79bac5d6e28f75a09f882b
https://doi.org/10.1109/iirw.2017.8361236
https://doi.org/10.1109/iirw.2017.8361236
Autor:
K. Michael Han, Toshikazu Nishida
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 38:105-113
In the present work oxide traps present in the gate oxide of n-channel MOS transistors (n-MOSTs) are filled by substrate hot electron (SHE) injection prior to channel hot electron (CHE) injection stress. By employment of SHE to fill existing oxide tr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d6a3e4fd8191670317c99166a19ca6a9
https://doi.org/10.1016/0038-1101(94)e0038-g
https://doi.org/10.1016/0038-1101(94)e0038-g
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
Device degradation due to hot-carrier injection in sub-100 nm gate length devices has been investigated. 90 nm gate length (CD SEM) N-MOSFETs with 2.2 nm nitrous oxide (Idsat equals 735 uA/micrometer, Idoff equals 1.1 nA/micrometer Vdd equals 1.5 V)
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::536d72f40309e77e45e0d92f45c39243
https://doi.org/10.1117/12.323979
https://doi.org/10.1117/12.323979
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.