Zobrazeno 1 - 10
of 12
pro vyhledávání: '"K. Ludolph"'
Autor:
Dieter Meschede, U. Rasbach, B. Viaris de Lesegno, Colm O'Dwyer, G. Georgiev, D. Haubrich, K. Ludolph, M. Müller, Egbert Oesterschulze, John Weiner, M. Mützel
Publikováno v:
Applied Physics B. 80:941-944
The atom pencil we describe here is a versatile tool that writes arbitrary structures by atomic deposition in a serial lithographic process. This device consists of a transversely laser-cooled and collimated cesium atomic beam that passes through a 4
Autor:
Rainhardt Osieka, Franz J. Hans, Edgar Jost, Joachim Weis, Sasikhan Geibprassert, Martina Deckert, Alexander G K Ludolph, Timo Krings
Publikováno v:
Journal of neurological surgery. Part A, Central European neurosurgery. 74
Extramedullary plasmacytomas originating in the spinal cord are extremely rare lesions. We report a 52-year-old man presenting with progressive tetraparesis. Spinal magnetic resonance imaging (MRI) showed an ill-defined contrast-enhancing intramedull
Autor:
Dieter Meschede, M. Mützel, K. Ludolph, Egbert Oesterschulze, D. Haubrich, G. Georgiev, B. Viaris de Lesegno, John Weiner, Colm O'Dwyer
We report the results of a study into the quality of functionalized surfaces for nanolithographic imaging. Self-assembled monolayer (SAM) coverage, subsequent post-etch pattern definition and minimum feature size all depend on the quality of the Au s
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::b68b136c6ca234d4a0595c32aa1fedad
https://hdl.handle.net/10468/2825
https://hdl.handle.net/10468/2825
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 97:114309
We report the results of a study into the factors controlling the quality of nanolithographic imaging. Self-assembled monolayer (SAM) coverage, subsequent postetch pattern definition, and minimum feature size all depend on the quality of the Au subst
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 21:1361
A general scheme for the fabrication of silicon and silicon dioxide structures with lateral dimensions of less than 100 nm is introduced that avoids high-resolution lithography processes. For the self-aligned formation of extreme small openings in si
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.