Zobrazeno 1 - 10
of 54
pro vyhledávání: '"K. Koschnick"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Spatially and temporally resolved information on thermochemical conditions in hydrocarbon/air flames requires concentration and temperature data obtained by spontaneous Raman/Rayleigh scattering. During the combustion of renewable and more complex fu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::2f95435a58f3b561a5641f1f4af1abda
https://www.scopus.com/inward/record.url?partnerID=HzOxMe3b&origin=inward&scp=85118513459
https://www.scopus.com/inward/record.url?partnerID=HzOxMe3b&origin=inward&scp=85118513459
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Johann Martin Spaeth, Pierre Gibart, S. A. Goodman, Bernard Beaumont, F. K. Koschnick, F.D. Auret
Publikováno v:
Materials Science and Engineering: B. 71:100-103
It is well known that exposure of semiconductor surfaces to energetic particles introduce both optically and electrically active defects. Hydrogen and He-ion implantation has been used in GaN-based microelectronic processes. He-ion implantation produ
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::61fc69145e6cf222395ec93d5e142104
https://doi.org/10.1016/s0921-5107(99)00357-8
https://doi.org/10.1016/s0921-5107(99)00357-8
Autor:
Bernard Beaumont, F. K. Koschnick, S. A. Goodman, Johann Martin Spaeth, Walter E. Meyer, Pierre Gibart, F.D. Auret
Publikováno v:
Materials Science and Engineering: B. 71:77-81
Sputter deposition is a versatile method of depositing metal layers onto semiconductors, but it introduces electrically active defects at and below the semiconductor surface. We have used deep level transient spectroscopy (DLTS) to study the electric
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::706fbd907bcc214ba3a16b33aacfd04c
https://doi.org/10.1016/s0921-5107(99)00352-9
https://doi.org/10.1016/s0921-5107(99)00352-9
Autor:
Johann Martin Spaeth, F. K. Koschnick, Pierre Gibart, F.D. Auret, S. A. Goodman, G. Myburg, Bernard Beaumont
Publikováno v:
Physica B: Condensed Matter. :84-87
We have used deep-level transient spectroscopy (DLTS) to study the electrical properties of defects introduced in epitaxial n-GaN during electron beam (EB) deposition of Ru Schottky contacts. DLTS revealed that EB deposition introduces at least two d
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::48b331f44073a3ae999d65e0b06890d1
https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00412-3
https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00412-3
Autor:
F. K. Koschnick, Johann Martin Spaeth, Pierre Gibart, Walter E. Meyer, F.D. Auret, Bernard Beaumont, S. A. Goodman
Publikováno v:
Physica B: Condensed Matter. :92-95
We show that a deep level, the ES1, introduced in n-GaN by sputter-deposition of gold Schottky contacts exhibits metastable-like behaviour during temperature cycling between 55 and 250 K. The ES1 has an energy level 0.22±0.02 eV below the conduction
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ed39fca237c1a4b5635349108edd9664
https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00414-7
https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00414-7
Publikováno v:
Solid State Communications. 110:593-598
The defects introduced in a bulk semi-insulating (SI) GaAs by a 6-MeV proton irradiation at 300 K were investigated with the electron paramagnetic resonance (EPR) detected via the magnetic circular dichroism of the optical absorption. EL2 defects (EL
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d6bddc9015aa1b488bf5a2c69cb8c5d4
https://doi.org/10.1016/s0038-1098(99)00151-9
https://doi.org/10.1016/s0038-1098(99)00151-9