Zobrazeno 1 - 10
of 20
pro vyhledávání: '"K. Kelting"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials Science Forum. :695-700
We investigated photoionization of deep traps in AlGaAs/GaAs multiple‐quantum‐well layers and measured the photocurrent (PC) parallel to the layers under a small electric field. There is a small shoulder due to the photoionization of a deep trap
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a01649812abf4478f9f3adae49173998
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.38-41.695
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.38-41.695
Autor:
K. Kelting, L. Gohler
Publikováno v:
Conference Record of the 1999 IEEE Industry Applications Conference. Thirty-Forth IAS Annual Meeting (Cat. No.99CH36370).
This paper presents a compact depletion MOSFET model applicable in smart power circuit simulations. For the first time, a complete description of all internal states and the stored charge in both on-state and subthreshold region of a DMOSFET includin
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::17350ebde78addff3af8dda40c75bbf8
https://doi.org/10.1109/ias.1999.801638
https://doi.org/10.1109/ias.1999.801638
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 63:845-852
We present a systematic investigation of (GaAs)l(AlAs)m (l≂m) superlattices by photoluminescence excitation at T=2 K in the energy range of 1.52–2.42 eV. The luminescence spectra of the superlattice samples differ strongly from the spectra of the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::aa0adc29b7029ad4f95d47fcaf4ab3e0
https://doi.org/10.1063/1.340079
https://doi.org/10.1063/1.340079
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 85:194-198
Gallium arsenide quantum wells are grown by liquid phase epitaxy. The growth parameters are carefully adjusted in order to prevent any dissolution of the GaAlAs layer by the GaAs growth solution as well as to eliminate solution carryover. The interfa
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3f31edf07b6d4aa1f22904cd1e0851f5
https://doi.org/10.1016/0022-0248(87)90222-3
https://doi.org/10.1016/0022-0248(87)90222-3
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 48:157-159
Low‐temperature liquid phase epitaxy is used to grow Ga0.6Al0.4As/GaAs/Ga0.6Al0.4As single quantum wells. Photoluminescence (T=2 K) reveals well thicknesses from 7 to 2.4 nm. Micrographs show that the spatial origin of highly intense luminescence (
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ff940b48b6226152c63f9fb794adc40a
https://doi.org/10.1063/1.96929
https://doi.org/10.1063/1.96929
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.