Zobrazeno 1 - 10
of 21
pro vyhledávání: '"K. H. George"'
Autor:
P.M. Smith, Alice Vera, J. Diaz, James J. Komiak, K. H. George Duh, Kanin Chu, K. Nichols, Louis M. Mt. Pleasant, Peide D. Ye, Philip Seekell, Lin Dong, Dong Xu, Carlton T. Creamer, Xiaoping Yang, P.C. Chao, M. Ashman
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 63:3076-3083
We have developed 0.1- $\mu \text{m}$ gate-length InAlN/GaN high electron-mobility transistors (HEMTs) for millimeter-wave (MMW) power applications, particularly at 71–76 and 81–86 GHz bands. The impacts of depth and width of the gate recess groo
Autor:
Horst Kurt Schminke, K. H. George
Publikováno v:
Journal of Crustacean Biology. 23:119-130
ZUSAMMENFASSUNG Vom Patagonischen Kontinentalabhang (Chile) wird eine neue Harpacticoidenart beschrieben. Isthmiocaris longitelson gen. et sp. nov. zeichnet sich durch eine Reihe besonderer Merkmale aus, wie einem kragenartigen zusatzlichen Pseudosom
Autor:
K. H. George, H. K. Schminke
Publikováno v:
Journal of Crustacean Biology. 23:119-130
Publikováno v:
2013 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS).
This paper reviews recent progress in the development of GaAs Metamorphic HEMT (MHEMT) technology for microwave, millimeter-wave, and submillimeter-wave applications. Short gate-length (50-100 nm) Metamorphic High Electron Mobility Transistors have b
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2008 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest.
A Q-band MMIC power amplifier has been designed, processed, and measured with first pass success. Design parameters include 20 dBm power, 25 dB gain, 40 % PAE, input return loss of 10 dB and output return loss of 6 dB across 43.5 to 45.5 GHz. The MMI
Autor:
Xu, Dong, Chu, Kanin, Diaz, Jose A., Ashman, Michael D., Komiak, J. J., Mt. Pleasant, Louis M., Vera, Alice, Seekell, Philip, Yang, Xiaoping, Creamer, Carlton, Nichols, K. B., Duh, K. H. George, Smith, Phillip M., Chao, P. C., Dong, Lin, Ye, Peide D.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices; Aug2016, Vol. 63 Issue 8, p3076-3083, 8p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2013 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS); 2013, p1-4, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.