Zobrazeno 1 - 10
of 143
pro vyhledávání: '"K. Grigoras"'
Autor:
K. Grigoras, N. Yurttagul, J.-P. Kaikkonen, E. T. Mannila, P. Eskelinen, D. P. Lozano, H.-X. Li, M. Rommel, D. Shiri, N. Tiencken, S. Simbierowicz, A. Ronzani, J. Hatinen, D. Datta, V. Vesterinen, L. Gronberg, J. Biznarova, A. Fadavi Roudsari, S. Kosen, A. Osman, M. Prunnila, J. Hassel, J. Bylander, J. Govenius
Publikováno v:
IEEE Transactions on Quantum Engineering, Vol 3, Pp 1-10 (2022)
We fabricate and characterize superconducting through-silicon vias and electrodes suitable for superconducting quantum processors. We measure internal quality factors of a million for test resonators excited at single-photon levels, on chips with sup
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0169bbc5306642bca051c3d708d6a492
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A. Varpula, K. Tappura, J. Tiira, K. Grigoras, O.-P. Kilpi, K. Sovanto, J. Ahopelto, and M. Prunnila
Publikováno v:
APL Photonics 6, 036111 (2021)
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=r3c4b2081b22::9a71210ee47180a1a21ae6ca4bfe6f0d
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
K Naudžius, R.A. Bendorius, J. Sabataityt, V. Jasutis, K. Grigoras, I. Šimkien, Vaidas Pačebutas, H. Tvardauskas
Publikováno v:
Materials Science and Engineering: C. 19:155-159
Porous GaAs layers obtained by electrochemical etching were investigated using SEM, TEM and optical methods. The morphology, chemical composition and photoluminescence of porous layers were investigated. It was shown that porous layer consists of Ga
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3dd978a8ce8fa1d10b568304d73a3fac
https://doi.org/10.1016/s0928-4931(01)00475-1
https://doi.org/10.1016/s0928-4931(01)00475-1
Publikováno v:
Applied Physics A. 73:495-501
Laser-induced transient-grating measurements were performed to monitor the influence of porous silicon on the surface recombination of a highly doped n+-silicon emitter of solar cells. With this technique, photocarrier diffusion and recombination wit
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::160eee482c26f998b1ad02d4fbab4c99
https://doi.org/10.1007/s003390100799
https://doi.org/10.1007/s003390100799
Publikováno v:
Applied Surface Science. 166:532-537
Boron doped glasses, obtained from organic solution under low temperature and deposited by spin-on technique, were used to form a highly doped p+–n junction into structures with macro-porous silicon (PS) layer of 0.4–6 μm thickness. The junction
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3784112a952ed4e76f96f3dcfad241e7
https://doi.org/10.1016/s0169-4332(00)00488-8
https://doi.org/10.1016/s0169-4332(00)00488-8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.