Zobrazeno 1 - 10
of 20
pro vyhledávání: '"K. Gołaszewska-Malec"'
Autor:
K. Gołaszewska-Malec, Artur Trajnerowicz, Andrzej Taube, Elżbieta Dynowska, Karolina Pągowska, Adam Barcz, Renata Kruszka, Rafal Jakiela, Michal Kozubal
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 450:248-251
In this work, the Si+ doping of undoped GaN (n ∼1 × 1016 cm−3) on sapphire by a single step implantation or sequential implantation/recrystallization processes, to a total fluence of 1 × 1016 at/cm2 and subsequent activation annealing at 1100
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3a51141072bb0060fb2c957ef9a5f143
https://doi.org/10.1016/j.nimb.2018.03.028
https://doi.org/10.1016/j.nimb.2018.03.028
Autor:
A. Piotrowska, Michal Kozubal, Andrzej Taube, Karolina Pągowska, Rafal Jakiela, Marek Guziewicz, K. Gołaszewska-Malec, Renata Kruszka
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 444:74-79
In this work, we compared ion implantation n-type doping processes in GaN using Si+ or Ge+ ions, by conducting structural and electrical characterization. In the case of Ge+ implantation processes, we compared both the standard single implantation an
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2942e6cae983dfff06be9ffad21db550
https://doi.org/10.1016/j.nimb.2019.01.053
https://doi.org/10.1016/j.nimb.2019.01.053
Autor:
Tomasz Czyszanowski, Piotr Prokaryn, Maciej Sakowicz, Mehtap Özdemir Köklü, Maciej Kuc, Renata Kruszka, Michał Szymański, K. Gołaszewska-Malec, Norbert Palka, Gulnur Aygun, Z. R. Wasilewski, Anna Szerling, Kamil Kosiel, Lutfi Ozyuzer, Jacek Ratajczak
Publikováno v:
Quantum Sensing and Nano Electronics and Photonics XVI.
Fabrication of approx. 3 THz Al0.15Ga0.85As/GaAs QCLs grown by Molecular Beam Epitaxy equipped with Ta/Cu or Ti/Cu waveguide claddings will be presented. Our previous studies showed that copper layers as the waveguide claddings are most promising in
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d37c05d21935d985347e1b8f42b26ee1
https://doi.org/10.1117/12.2510489
https://doi.org/10.1117/12.2510489
Autor:
Magdalena Dominik, Pawel Rejmak, J. Libera, Wojtek J. Bock, Marcin Koba, Maciej Kozubal, Kamil Kosiel, Rafal Jakiela, Michał Szymański, Mateusz Smietana, Marek Guziewicz, Małgorzata Kalisz, Karolina Pagowska, Krystyna Lawniczak-Jablonska, K. Gołaszewska-Malec, Joanna Niedziółka-Jönsson
Publikováno v:
Quantum Sensing and Nano Electronics and Photonics XVI.
Novel optical sensors the most often require thin films or surface structures with strictly controlled properties, playing a critical role in them by initiating or modifying their sensorial responses. Selected results of research on atomic layer depo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ab5da39cf5dcae200f1c305ddc23ab57
https://doi.org/10.1117/12.2510580
https://doi.org/10.1117/12.2510580
Autor:
Kamil Kosiel, K. Król, Renata Kruszka, A. Piotrowska, M. Guziewicz, Eliana Kamińska, K. Gołaszewska-Malec, Andrzej Taube
Publikováno v:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences Technical Sciences. 64:547-551
The paper presents the results of characterization of MOS structures with aluminum oxide layer deposited by ALD method on silicon carbide substrates. The effect of the application of thin SiO2 buffer layer on the electrical properties of the MOS stru
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a5d379c3919eb07cedf712ad564b710b
https://doi.org/10.1515/bpasts-2016-0061
https://doi.org/10.1515/bpasts-2016-0061
Autor:
Eliana Kamińska, Renata Kruszka, Jakub Grochowski, Jakub Kaczmarski, Mariusz Sochacki, K. Gołaszewska-Malec, Kamil Kosiel, Anna Piotrowska, Wojciech Jung, Andrzej Taube
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 111:12-17
In this work we present results of electrical parameters characterization of high-voltage AlGaN/GaN high electron mobility transistors with ohmic and Schottky drain electrodes on silicon substrates. The use of Schottky-drain contacts improves breakdo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7ba53e9d2d4c2eb2e2113c9b11f502bc
https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.04.001
https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.04.001
Autor:
S. Kasjuniuk, Marek Guziewicz, T. T. Piotrowski, Eliana Kamińska, A. Piotrowska, E. Papis, K. Gołaszewska-Malec, M. Piskorski
Publikováno v:
Acta Physica Polonica A. 90:903-906
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::33751288787e0ea78e9812fcdb2fdf9f
https://doi.org/10.12693/aphyspola.90.903
https://doi.org/10.12693/aphyspola.90.903
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.