Zobrazeno 1 - 10
of 71
pro vyhledávání: '"K. Galiano"'
Autor:
Pran K. Paul, Aaron R. Arehart, Tyler J. Grassman, D. W. Cardwell, K. Galiano, Krishna Aryal, Jonathan P. Pelz, Christine Jackson, Steven A. Ringel, Sylvain Marsillac
Publikováno v:
IEEE Journal of Photovoltaics. 5:1482-1486
Nanometer-scale deep-level transient spectroscopy (nano-DLTS) is used to simultaneously map the spatial distribution of the $E_V$ + 0.47 eV trap in p-type Cu(In,Ga)Se2 with surface topography, providing a spatially resolved correlation between electr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0c63fc6d481a7c9ebdd9aa8c89a5efa2
https://doi.org/10.1109/jphotov.2015.2459971
https://doi.org/10.1109/jphotov.2015.2459971
Autor:
Julia I. Deitz, Santino D. Carnevale, D. A. Gleason, Aaron R. Arehart, Tyler J. Grassman, Z. Zhang, S.A. Ringel, K. Galiano, Jonathan P. Pelz
Publikováno v:
Microscopy and Microanalysis. 24:1056-1057
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1495676a67413f00b13a52e09503eb4b
https://doi.org/10.1017/s1431927618005767
https://doi.org/10.1017/s1431927618005767
Autor:
D. A. Gleason, K. Galiano, Eric R. Heller, Aaron R. Arehart, Steven A. Ringel, Jeff L. Brown, Jonathan P. Pelz, Albert Hilton, Donald L. Dorsey
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 114:053510
Scanning probe deep-level transient spectroscopy (SP-DLTS) is applied to cross-sectioned, fully processed, commercially sourced AlGaN/GaN Schottky barrier diodes (SBDs) and high electron mobility transistors (HEMTs) biased in situ. The SBD and HEMT s
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f3644f0b777c530234a9bb71fabe4281
https://doi.org/10.1063/1.5079745
https://doi.org/10.1063/1.5079745
Autor:
D. W. Cardwell, Santino D. Carnevale, Steven A. Ringel, John A. Carlin, K. Galiano, Aaron R. Arehart, Tyler J. Grassman, Daniel J. Chmielewski, Pran K. Paul
Publikováno v:
2016 IEEE 43rd Photovoltaic Specialists Conference (PVSC).
This work investigates 2.05 eV bandgap (Al)GaInP alloys for use as the top junction of IMM solar cells. We explore balancing alloy composition and lattice constant as two complementary variables to achieve the target bandgap in one material system. H
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6f1eeb926459c924e8a09c59f9a918f1
https://doi.org/10.1109/pvsc.2016.7750300
https://doi.org/10.1109/pvsc.2016.7750300
Autor:
Pran K. Paul, Santino D. Carnevale, D. A. Gleason, Julia I. Deitz, Jonathan P. Pelz, Aaron R. Arehart, Tyler J. Grassman, K. Galiano, Steven A. Ringel, Brian M. McSkimming, Z. Zhang, James S. Speck
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 123:224504
Defects in semiconductors lead to deleterious effects in electron devices, but identifying their physical sources can be difficult. An example of this in gallium nitride (GaN) high electron mobility transistors is the well-known trap state located at
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4462a925f0f8c6ac1de37fc66cb7c593
https://doi.org/10.1063/1.5022806
https://doi.org/10.1063/1.5022806
Autor:
Robert E. Wharen, John A. Lucas, Ryan J. Uitti, Robert J. Witte, K. Galiano, Margaret F. Turk, Alois Obwegeser
Publikováno v:
British journal of neurosurgery. 22(5)
The purpose of this study was the development of a new method to correlate functional surgery with outcome measures. Lesions following microelectrode guided globus pallidus internus (GPi) pallidotomy for Parkinson's disease are presented to demonstra
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::add048e58fbce0aca255da650e3fa641
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/18649159
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/18649159
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.