Zobrazeno 1 - 10
of 80
pro vyhledávání: '"K. Forghani"'
Publikováno v:
APL Materials, Vol 3, Iss 3, Pp 036108-036108-8 (2015)
A set of GaAs1−xBix/GaAs multilayer quantum-well structures was deposited by metal-organic vapor phase epitaxy at 390 °C and 420 °C. The precursor fluxes were introduced with the intent of growing discrete and compositionally uniform GaAs1−xBix
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/676e9be41cf545a4b7a9f594c5e5ee49
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
D. Cardwell, Andree Wibowo, Joshua D. Wood, Noren Pan, David Rowell, Mark Osowski, K. Forghani, Alexander P. Kirk
Publikováno v:
2018 IEEE 7th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC) (A Joint Conference of 45th IEEE PVSC, 28th PVSEC & 34th EU PVSEC).
MicroLink Devices has developed two-terminal monolithic three-junction (3J) GaInP/GaAs/GaInAs epitaxial liftoff (ELO) solar cells with certified 37.75 ± 0.53% AM1.5G 1-Sun power conversion efficiency at 25°C. Additionally, MicroLink is developing t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4b3ea5d7c127596a1f5a6fe8df3fe218
https://doi.org/10.1109/pvsc.2018.8547801
https://doi.org/10.1109/pvsc.2018.8547801
Autor:
Adam W, Wood, Weixin, Chen, Honghyuk, Kim, Yingxin, Guan, K, Forghani, A, Anand, T F, Kuech, L J, Mawst, S E, Babcock
Publikováno v:
Nanotechnology. 28(21)
The effects of a 45 min anneal at 800 °C on the physical properties and microstructure of a five-period GaAs
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=pmid________::3d75dd1ebf52ee27c5742d31b5e7ce70
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/28471752
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/28471752
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
K. Forghani, Y. Guan, G. Luo, M. Losurdo, A. Wood, S. Babcock, L. Mawst, D. Morgan, A. S. Brown, T. F. Kuech
Publikováno v:
The 5th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors, Cork, Ireland, July 20-23, 2014
info:cnr-pdr/source/autori:K. Forghani, Y. Guan, G. Luo, M. Losurdo, A. Wood, S. Babcock, L. Mawst, D. Morgan, A. S. Brown, T. F. Kuech/congresso_nome:The 5th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors/congresso_luogo:Cork, Ireland/congresso_data:July 20-23, 2014/anno:2014/pagina_da:/pagina_a:/intervallo_pagine
info:cnr-pdr/source/autori:K. Forghani, Y. Guan, G. Luo, M. Losurdo, A. Wood, S. Babcock, L. Mawst, D. Morgan, A. S. Brown, T. F. Kuech/congresso_nome:The 5th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors/congresso_luogo:Cork, Ireland/congresso_data:July 20-23, 2014/anno:2014/pagina_da:/pagina_a:/intervallo_pagine
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=cnr_________::db0287fd4768dc47a84c579bebe0773f
http://www.cnr.it/prodotto/i/300522
http://www.cnr.it/prodotto/i/300522
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.