Zobrazeno 1 - 10
of 18
pro vyhledávání: '"K. Courouble"'
Autor:
K. Courouble, J.-P. Carrere, Vincent Goiffon, S. Ricq, C. Doyen, Y. Sacchettini, Romain Duru, Pierre Magnan
Publikováno v:
Web of Science
Plasma process interaction with BSI image sensor is for the first time analyzed. The dark current degradation is modulated by the nature of the anti-reflective layer used at the backside interface. Three ARC stacks are compared by measuring the charg
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::4dce0f32a90286a7aa94980d26817508
https://doi.org/10.1109/iedm19573.2019.8993561
https://doi.org/10.1109/iedm19573.2019.8993561
Autor:
S. Joblot, C. De-Buttet, Sébastien Petitdidier, F. Abbate, C. Jenny, Didier Celi, B. Ramadout, Thomas Quemerais, Sebastien Haendler, Laurent Favennec, Daniel Gloria, O. Robin, C. Richard, E. Canderle, B. Borot, K. Haxaire, N. Derrier, Remi Beneyton, Julien Rosa, G. Ribes, O. Saxod, P. Brun, Y. Campidelli, Pascal Chevalier, Cedric Durand, A. Montagne, Francois Leverd, G. Imbert, Olivier Gourhant, M. Guillermet, E. Gourvest, L. Berthier, Clement Tavernier, J. Cossalter, M. Buczko, C. Deglise, Mickael Gros-Jean, C. Julien, Jean-Damien Chapon, K. Courouble, D. Ney, G. Avenier, Patrick Maury, Y. Carminati, R. Bianchini, F. Foussadier
Publikováno v:
2014 IEEE International Electron Devices Meeting.
This paper presents the first 55 nm SiGe BiCMOS technology developed on a 300 mm wafer line in STMicroelectronics. The technology features Low Power (LP) and General Purpose (GP) CMOS devices and 0.45 µm2 6T-SRAM bit cell. High Speed (HS) HBT exhibi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1a267063e241381b03eefae310424668
https://doi.org/10.1109/iedm.2014.7046978
https://doi.org/10.1109/iedm.2014.7046978
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.