Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"K. Baghbani Parizi"'
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 54:48-51
In this paper a new asymmetric Schottky barrier MOSFET structure is presented which employs a thin interfacial insulator layer in the metal/silicon junction at the source. This asymmetric structure leads to a considerable improvement in the on/off ra
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::08d5fb4b6159711dbea6b5576ab15133
https://doi.org/10.1016/j.sse.2009.09.010
https://doi.org/10.1016/j.sse.2009.09.010
Autor:
K. Baghbani Parizi, Roger Fabian W. Pease, Hesaam Esfandyarpour, Lei Yuan, Andrew R. Neureuther, Wojtek J. Poppe, E. H. Anderson, James Alexander Liddle
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 24:1902
Shot noise in electron-beam and extreme ultraviolet (EUV) exposure fundamentally limits the useful sensitivity of resists. Here the exposure, amplification, and deprotection of chemically amplified resists are treated as a sequence of statistical eve
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::27576615a88dfbd58155c105ab7120c8
https://doi.org/10.1116/1.2218875
https://doi.org/10.1116/1.2218875
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.