Zobrazeno 1 - 10
of 31
pro vyhledávání: '"K. Abadie"'
Autor:
W. Schwarzenbach, S. Rouchier, G. Berre, R. Boulet, O. Ledoux, E. Cela, A. Drouin, A. Chapelle, S. Monnoye, H. Biard, K. Alassaad, L. Viravaux, N. Ben Mohamed, D. Radisson, G. Picun, G. Lavaitte, A. Bouville-Lallart, J. Roi, J. Widiez, K. Abadie, E. Rolland, F. Fournel, G. Gelineau, F. Mazen, A. Moulin, C. Moulin, D. Delprat, N. Daval, S. Odoul, P. Sandri, C. Maleville
Publikováno v:
2022 International Conference on IC Design and Technology (ICICDT).
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology. 37:045012
This article deals with Si/Ge heterostucture manufacturing using covalent bonding, and its application to the layer transfer of a thin germanium film. At first, bow simulations of the heterostructure are discussed, in order to determine the temperatu
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
International Journal of Adhesion and Adhesives
International Journal of Adhesion and Adhesives, 2019, 91, pp.123-130. ⟨10.1016/j.ijadhadh.2019.03.009⟩
International Journal of Adhesion and Adhesives, Elsevier, 2019, 91, pp.123-130. ⟨10.1016/j.ijadhadh.2019.03.009⟩
International Journal of Adhesion and Adhesives, 2019, 91, pp.123-130. ⟨10.1016/j.ijadhadh.2019.03.009⟩
International Journal of Adhesion and Adhesives, Elsevier, 2019, 91, pp.123-130. ⟨10.1016/j.ijadhadh.2019.03.009⟩
International audience; The presented work concerns the manufacturing of very thin silicon wafers for a 3D Integrated Circuit industrial purpose. One of the key parameters of the 3D integration is the adherence of the bonded structure which involves
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c864e292a4d219194a93d77ee98c2d3b
https://cea.hal.science/cea-02186447
https://cea.hal.science/cea-02186447
Autor:
F. Foumel, Elias Veinberg-Vidal, Christophe Morales, K. Abadie, M. Tedjini, Laura Vauche, V. Larrey
Publikováno v:
2017 5th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D).
Different GaAs//Si wafer bonding approaches are compared in order to fabricate III-V tandem solar cells. Bonding interface characteristics and electrical properties will be discussed for standard and improved direct wafer bonding sequences as well as
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.