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Autor:
G. Hoffmann, D. Holzmann, F. Jäger, K. Riedling, G. H. Schwuttke, K. A. Pandelisev, R. C. White, H. Holzmann, W. Kausel, G. Nanz, S. Selberherr, H. Pötzl, H. Leopold, R. Röhrer, G. Winkler, M. Thurner, K. Seiner, W. Tritremmel, G. Walther, Erwin Schoitsch, S. Hertl, G. Schaffar, K. Schmidt, H. Steinbrecher, F. Voggenberger, W. Windischhofer, R. Turba, J. Grabner, H. Aberl, F. Seifert, F. Buschbeck, K. Wallisch, Ch. Eichtinger, P. Wach, W. Bittinger, A. Kainz, M. Jestl, W. Beinstingl, K. Berthold, A. Köck, E. Gornik, G. Kloiber, F. Kreid, K. P. Schröcker, M. Schrödl, E. Brazda, G. Niedrist, K. Dietz, P. Fey, S. Frenkenberger, M. Furtner, B. Dejneka, A. Goiser, M. Sust, M. Kowatsch, Ch. Jorde, G. G. Thallinger, E. Mothwurf, E. Schubert, J. Steger, E. Trzeba, I. Awramow, R. Pucher, L. M. Auer, S. Schuy, H. Schima, L. Huber, A. Prodinger, H. Schmallegger, H. Thoma, H. Stöhr, W. Mayr, R. Steiner, O. Wiedenbauer, G. List, G. Wießpeiner, Th. Petsch, G. Doblhoff, D. Kirchner, O. Koudelka, A. Gierlinger, A. Ullrich, B. Braune, H. Horvat, U. Mayer, A. Gauby, A. Richter, K. R. Spie
Im Tagungsband zur Informationstagung'Mikroelektronik 87'werden die in Form von Kurzvorträgen und Posters dargebotenen Beiträge in übersichtlicher Form präsentiert und geben einen guten Überblick über den aktuellen Forschungs- und Wissensstand
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 9:3078-3083
The electron trapping phenomenon in a‐SiN:H films deposited by radio frequency (rf) glow discharge has been studied as a function of rf power and gas feed ratio. The chemical composition of the films was determined with Fourier transform infrared s
Publikováno v:
Mikroelektronik 87 ISBN: 9783211820230
Ein an der Arizona State University entwickeltes digitales Prozeskontrollsystem fur eine Kristallziehanlage fur Verbin dungshalbleiter vereint konventionelle deterministische Techniken mit heuristischen Methoden, bei denen das System autark uber den
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::50024e83b0dfa0ba3036e4b4f4e577b0
https://doi.org/10.1007/978-3-7091-8940-5_13
https://doi.org/10.1007/978-3-7091-8940-5_13
Autor:
G. Hoffmann, D. Holzmann, F. Jäger, K. Riedling, G. H. Schwuttke, K. A. Pandelisev, R. C. White, H. Holzmann, W. Kausel, G. Nanz, S. Selberherr, H. Pötzl, H. Leopold, R. Röhrer, G. Winkler, M. Thurner, K. Seiner, W. Tritremmel, G. Walther, Erwin Schoitsch, S. Hertl, G. Schaffar, K. Schmidt, H. Steinbrecher, F. Voggenberger, W. Windischhofer, R. Turba, J. Grabner, H. Aberl, F. Seifert, F. Buschbeck, K. Wallisch, Ch. Eichtinger, P. Wach, W. Bittinger, A. Kainz, M. Jestl, W. Beinstingl, K. Berthold, A. Köck, E. Gornik, G. Kloiber, F. Kreid, K. P. Schröcker, M. Schrödl, E. Brazda, G. Niedrist, K. Dietz, P. Fey, S. Frenkenberger, M. Furtner, B. Dejneka, A. Goiser, M. Sust, M. Kowatsch, Ch. Jorde, G. G. Thallinger, E. Mothwurf, E. Schubert, J. Steger, E. Trzeba, I. Awramow, R. Pucher, L. M. Auer, S. Schuy, H. Schima, L. Huber, A. Prodinger, H. Schmallegger, H. Thoma, H. Stöhr, W. Mayr, R. Steiner, O. Wiedenbauer, G. List, G. Wießpeiner, Th. Petsch, G. Doblhoff, D. Kirchner, O. Koudelka, A. Gierlinger, A. Ullrich, B. Braune, H. Horvat, U. Mayer, A. Gauby, A. Richter, K. R. Spiess, W. Klösch, N. Böck, H. Rosenkranz, H. Mitter, M. Hengl, G. Nussbaum, K. Gutternigh, H. Hahn, P. Koutny, K. Pühringer, H. Schwabach, M. Hirschler, M. Haas, A. Renner, E. Bratengeyer, C. C. Scholz-Nauendorff, K. Lebutsch, W. Volkmann, H. Gerner, W. Girsch, J. Holle, P. Kluger, B. Meister, E. Moritz, G. Schwanda, L. Prager, G. Wieβpeiner, R. Grübler, E. Dorfer, E. Oitzl, W. Pribyl, M. Bähring, J. Harter, D. Sommer
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cf4ac792b55f5e74ef3ed31de18042ae
https://doi.org/10.1007/978-3-7091-8940-5
https://doi.org/10.1007/978-3-7091-8940-5
Autor:
Walter J. Varhue, K. A. Pandelisev
Publikováno v:
MRS Proceedings. 165
The electrical resistivity and N content of a-SiN:H films can be controlled by varying the reactor pressure. This appears to be a result of the increased dissociation of the ammonia feed gas by the change in the electron energy spectrum. The effect o