Zobrazeno 1 - 10
of 27
pro vyhledávání: '"K Kitt"'
Autor:
K Kitt, C Hanrahan
Publikováno v:
Age and Ageing. 51
Background Hip fractures have long been associated with significant morbidity and mortality and threat to independent living. A major, treatable risk factor for the development of a hip fracture is osteoporosis. The objective of this study was to inv
Publikováno v:
Age and Ageing. 51
Background Choosing if, and when antithrombotic therapy should be re-started after Intracerebral Haemorrhage (ICH) is a decision commonly faced by clinicians working in stroke medicine. In spite of this, there is a dearth of international guidelines
Publikováno v:
Age and Ageing. 51
Background Stroke thombolysis has been a proven effective treatment for acute stroke since 1995. Since then Alteplase has been the standard thrombolytic agent used in the hyperacute stroke patient, the dose being decided by body weight (0.9mg/kg). 10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
12th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs. Proceedings (Cat. No.00CH37094).
High-density and high-speed MOS-integrated devices require low gate resistance. Metallization of the gate electrodes reduces gate sheet resistance, improves switching efficiency, reduces distributed RC propagation delay, and possibly enhances device