Zobrazeno 1 - 10
of 431
pro vyhledávání: '"K Huet"'
Publikováno v:
Neurology Perspectives, Vol 1, Iss 1, Pp 39-48 (2021)
Resumen: Introducción: En este estudio se explora la forma en que el envejecimiento afecta a la producción del habla. Indudablemente, son muchos los cambios que se producen a edades avanzadas en los procesos de control motor, así como en la integr
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/970bcef349e24d33b77d9176c355db36
Autor:
S. Boninelli, R. Milazzo, R. Carles, F. Houdellier, R. Duffy, K. Huet, A. La Magna, E. Napolitani, F. Cristiano
Publikováno v:
APL Materials, Vol 6, Iss 5, Pp 058504-058504-7 (2018)
Laser Thermal Annealing (LTA) at various energy densities was used to recrystallize and activate amorphized germanium doped with phosphorous by ion implantation. The structural modifications induced during the recrystallization and the related dopant
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/55b55139fb754a228021841f44efc0b1
Autor:
A. Vallon, J. Wendel, K. Huet, R. Konig, V. Bielefeld, C. Denis, P. Lebranchu, D. Lassalle, M. Plaineau, G. Le Meur, J. Rousseau, M. Péré, J.-B. Ducloyer, K. Lehuede, C. Couret, L. Giraud
Publikováno v:
Journal Français d'Ophtalmologie. 44:703-710
Resume Introduction Avec les progres effectues en reanimation pediatrique ces dernieres annees et l’augmentation de la survie des grands prematures, les consequences de la prematurite sont de plus en plus documentees. Au niveau ophtalmologique, la
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::01ffb455cdf9b484a5e5026ae114882a
https://doi.org/10.1016/j.jfo.2020.06.048
https://doi.org/10.1016/j.jfo.2020.06.048
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Balasubramanian S. Pranatharthi Haran, F. Mazzamuto, James Chingwei Li, Takeshi Nogami, Christian Lavoie, R. Cornell, James J. Demarest, Oleg Gluschenkov, Devika Sil, J. Liu, Jean Jordan-Sweet, V. Stanic, A. Simon, K. Huet, Yasir Sulehria
Publikováno v:
2021 IEEE International Interconnect Technology Conference (IITC).
A novel nanosecond (ns) laser anneal (multiple laser shots at sub-melting low laser energy) was employed to reduce the blanket sheet resistance of Ru thin films deposited by physical vapor deposition (PVD). The laser anneal was conducted after PVD Ru
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::853faaf12dddd47e0d2283637fdb5917
https://doi.org/10.1109/iitc51362.2021.9537396
https://doi.org/10.1109/iitc51362.2021.9537396
Autor:
Philippe Matagne, Gweltaz Gaudin, Katia Devriendt, Narendra Parihar, Anne Vandooren, Toshiyuki Tabata, Haroen Debruyn, Jacopo Franco, Erik Rosseel, Andriy Hikavyy, D. Radisic, Iuliana Radu, Naoto Horiguchi, A. Alvarez, Bertrand Parvais, E. Vecchio, Fulvio Mazzamuto, Bich-Yen Nguyen, G. Besnard, K. Huet, Juergen Boemmels, G. Mannaert, Boon Teik Chan, Lieve Teugels, Nadine Collaert, Jerome Mitard, Niamh Waldron, Steven Demuynck, Walter Schwarzenbach, Z. Wu
Publikováno v:
2020 IEEE Symposium on VLSI Technology.
Top tier devices in a 3D sequential integration are optimized using a low temperature process flow $( . Bi-axial tensile strained silicon is transferred without strain relaxation to boost the top tier nmos device performance by 40-50% over the unstra
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::5b4967a6b0dcc474ef5befbd36b54396
https://doi.org/10.1109/vlsitechnology18217.2020.9265026
https://doi.org/10.1109/vlsitechnology18217.2020.9265026