Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"K Churton"'
Autor:
Erik Rosseel, Wilfried Vandervorst, Rong Lin, Peter Folmer Nielsen, Dirch Hjorth Petersen, Jozefien Goossens, Trudo Clarysse, K Churton
Publikováno v:
MRS Proceedings. 1070
Maintaining or improving device performance while scaling semiconductor devices, necessitates the development of extremely shallow (< 20 nm) source/drain extensions with a very high dopant concentration and electrical activation level. Whereas soluti
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b0dc36de6bad0eec02303d49672cd4dc
https://doi.org/10.1557/proc-1070-e01-10
https://doi.org/10.1557/proc-1070-e01-10
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.