Zobrazeno 1 - 10
of 120
pro vyhledávání: '"KŁOS, JAN"'
Autor:
Tröger, Jan, Kersting, Reinhard, Hagenhoff, Birgit, Bougeard, Dominique, Abrosimov, Nikolay V., Klos, Jan, Schreiber, Lars R., Bracht, Hartmut
The continuous technological development of electronic devices and the introduction of new materials leads to ever greater demands on the fabrication of semiconductor heterostructures and their characterization. This work focuses on optimizing Time-o
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2407.17985
Autor:
Klos, Jan, Tröger, Jan, Keutgen, Jens, Losert, Merritt P., Riemann, Helge, Abrosimov, Nikolay V., Knoch, Joachim, Bracht, Hartmut, Coppersmith, Susan N., Friesen, Mark, Cojocaru-Mirédin, Oana, Schreiber, Lars R., Bougeard, Dominique
Publikováno v:
Adv. Sci. 2407442 (2024)
Understanding crystal characteristics down to the atomistic level increasingly emerges as a crucial insight for creating solid state platforms for qubits with reproducible and homogeneous properties. Here, isotope composition depth profiles in a SiGe
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2405.19974
Publikováno v:
Phys. Rev. B 98, 155320 (2018)
Quantum computation based on semiconductor electron-spin qubits requires high control of tunnel-couplings, both across quantum dots and between the quantum dot and the reservoir. The tunnel-coupling to the reservoir sets the qubit detection and initi
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1805.01728
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.