Zobrazeno 1 - 10
of 154
pro vyhledávání: '"König, Dirk"'
Photoreduction of carbon dioxide (CO$_2$) on plasmonic structures is of great interest in photocatalysis to aid selectivity. While species commonly found in reaction environments and associated intermediates can steer the reaction down different path
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2402.11726
Autor:
Hiller, Daniel, Jordan, Paul M., Ding, Kaining, Pomaska, Manuel, Mikolajick, Thomas, König, Dirk
Al–O monolayers embedded in ultrathin SiO₂ were shown previously to contain Al-induced acceptor states, which capture electrons from adjacent silicon wafers and generate a negative fixed charge that enables efficient Si-surface passivation. Here,
Externí odkaz:
https://tud.qucosa.de/id/qucosa%3A80446
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A80446/attachment/ATT-0/
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A80446/attachment/ATT-0/
Autor:
König, Dirk, Frentzen, Michael, Hiller, Daniel, Wilck, Noël, Di Santo, Giovanni, Petaccia, Luca, Pìs, Igor, Bondino, Federica, Magnano, Elena, Mayer, Joachim, Knoch, Joachim, Smith, Sean C.
The electronic structure of low nanoscale (LNS) intrinsic silicon (i-Si) embedded in SiO2 vs. Si3N4 shifts away from vs. towards the vacuum level Evac, as described by the Nanoscale Electronic Structure Shift Induced by Anions at Surfaces (NESSIAS).
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2208.10792
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
König, Dirk, Wilck, Noël, Hiller, Daniel, Berghoff, Birger, Meledin, Alexander, Di Santo, Giovanni, Petaccia, Luca, Mayer, Joachim, Smith, Sean, Knoch, Joachim
Publikováno v:
Phys. Rev. Applied 12, 054050 (2019)
Conventional impurity doping of deep nanoscale silicon (dns-Si) used in ultra large scale integration (ULSI) faces serious challenges below the 14 nm technology node. We report on a new fundamental effect in theory and experiment, namely the electron
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1905.06090
Autor:
König, Dirk
Semiconductor nanowires (NWires) experience stress and charge transfer by their environment and impurity atoms. In return, the environment of NWires experiences a NWire stress response which may lead to propagated strain and change in shape and size
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1901.00935
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
All electronic, optoelectronic or photovoltaic applications of silicon depend on controlling majority charge carriers via doping with impurity atoms. Nanoscale silicon is omnipresent in fundamental research (quantum dots, nanowires) but also approach
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1612.03256
Autor:
König, Dirk
Semiconductor nanocrystals (NCs) experience stress and charge transfer by embedding materials or ligands and impurity atoms. In return, the environment of NCs experiences a NC stress response which may lead to matrix deformation and propagated strain
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1608.02467
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.