Zobrazeno 1 - 10
of 160
pro vyhledávání: '"K, Toyonaga"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M. Kubo, K. Tsuno, T. Shimizu, H. Murao, S. Fujishima, K. Toyonaga, S. Mizumoto, T. Hasegawa, S. Wada, T. Ogawa
Publikováno v:
International Conference on Space Optics — ICSO 2018.
The Ultra Fine Sun Sensor (UFSS) on board the HINODE solar observing satellite is one of the most successful sun sensors. It is the linear CCD sun sensor with a special detection method using multiple slits, called the periodic reticle. The angular r
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3805178e6b427d887b8d430a58707b8a
https://doi.org/10.1117/12.2536087
https://doi.org/10.1117/12.2536087
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
K. Toyonaga
Publikováno v:
Journal of Computational and Applied Mathematics. 199(2):432-436
In this paper, we propose a numerical method to verify for nearly multiple eigenvalues of a Hermitian matrix not being strictly multiple eigenvalues. From approximate eigenvalues computed, it seems to be difficult to distinguish whether they are stri
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::4579444d0f7bd6138205943ca0f73a04
Autor:
S. Matumoto, Junichi Murota, T. Abe, Siti Rahmah Aid, Y. Hashiba, Yukio Nakabayashi, Y. Shimamune, K. Toyonaga, K. Wada, Masao Sakuraba, T. Sakaguchi
Publikováno v:
Materials Science and Engineering: B. :330-333
In order to understand the properties of point defects in Si, it is important to clarify temperature dependence of Si intrinsic self-diffusion coefficient over a wide temperature range. In this work, we used highly isotopically enriched 30 Si epi-lay
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c6ca31103957cf208d2013315a6fd3d6
https://doi.org/10.1016/j.mseb.2004.07.055
https://doi.org/10.1016/j.mseb.2004.07.055
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Hirman I. Osman, Junichi Murota, Kazumi Wada, Satoru Matsumoto, Kaori Yokota, Yukio Nakabayashi, K. Toyonaga, Takao Abe
Publikováno v:
Japanese Journal of Applied Physics. 42:3304-3310
Silicon self-diffusion coefficients were measured in intrinsic and extrinsic silicon from 870 to 1070°C using isotopically pure 30Si/natural Si heterostructures. 30Si diffusion profiles are determined by secondary ion mass spectrometry. The temperat
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ebb5cd1391ed4a48725fb950cb699a1a
https://doi.org/10.1143/jjap.42.3304
https://doi.org/10.1143/jjap.42.3304
Autor:
Hirman I. Osman, K. Toyonaga, Junichi Murota, T. Abe, Kazumi Wada, K. Yokota, Yukio Nakabayashi, Satoru Matsumoto
Publikováno v:
Materials Science in Semiconductor Processing. 6:15-19
In order to determine the type and charge states of dominant point defects in As- and B-doped silicon, self-diffusion in doped natural Si/30Si/natural Si double-heterostructures has been investigated under oxidizing ambient. Enhanced self-diffusion i
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c7e727bd4dde197f27221bc1334a2885
https://doi.org/10.1016/s1369-8001(03)00066-0
https://doi.org/10.1016/s1369-8001(03)00066-0