Zobrazeno 1 - 10
of 21
pro vyhledávání: '"Jussot, Julien"'
Autor:
Chittock-Wood, Jacob F., Leon, Ross C. C., Fogarty, Michael A., Murphy, Tara, Patomäki, Sofia M., Oakes, Giovanni A., von Horstig, Felix-Ekkehard, Johnson, Nathan, Jussot, Julien, Kubicek, Stefan, Govoreanu, Bogdan, Wise, David F., Gonzalez-Zalba, M. Fernando, Morton, John J. L.
Leveraging the advanced manufacturing capabilities of the semiconductor industry promises to help scale up silicon-based quantum processors by increasing yield, uniformity and integration. Recent studies of quantum dots fabricated on 300 mm wafer met
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2408.01241
Autor:
Elsayed, Asser, Shehata, Mohamed, Godfrin, Clement, Kubicek, Stefan, Massar, Shana, Canvel, Yann, Jussot, Julien, Simion, George, Mongillo, Massimo, Wan, Danny, Govoreanu, Bogdan, Radu, Iuliana P., Li, Ruoyu, Van Dorpe, Pol, De Greve, Kristiaan
Silicon spin qubits are among the most promising candidates for large scale quantum computers, due to their excellent coherence and compatibility with CMOS technology for upscaling. Advanced industrial CMOS process flows allow wafer-scale uniformity
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2212.06464
Autor:
Camenzind, Timothy N., Elsayed, Asser, Mohiyaddin, Fahd A., Li, Ruoyu, Kubicek, Stefan, Jussot, Julien, Van Dorpe, Pol, Govoreanu, Bogdan, Radu, Iuliana, Zumbühl, Dominik M.
The quality of the semiconductor-barrier interface plays a pivotal role in the demonstration of high quality reproducible quantum dots for quantum information processing. In this work, we have measured SiMOSFET Hall bars on undoped Si substrates in o
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2106.05254
Autor:
Wan, Danny, Manfrini, Mauricio, Vaysset, Adrien, Souriau, Laurent, Wouters, Lennaert, Thiam, Arame, Raymenants, Eline, Sayan, Safak, Jussot, Julien, Swerts, Johan, Couet, Sebastien, Rassoul, Nouredine, Gavan, Khashayar Babaei, Paredis, Kristof, Huyghebaert, Cedric, Ercken, Monique, Wilson, Christopher J., Mocuta, Dan, Radu, Iuliana P.
Magnetic tunnel junctions (MTJs) interconnected via a continuous ferromagnetic free layer were fabricated for Spin Torque Majority Gate (STMG) logic. The MTJs are biased independently and show magnetoelectric response under spin transfer torque. The
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1711.03609
Autor:
Jussot, Julien
Depuis de nombreuses années, l'industrie microélectronique s'est engagée dans une course à l'augmentation des performances et à la diminution des coûts de ses dispositifs grâce à la miniaturisation de ces derniers. La génération de ces stru
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2015GREAT086/document
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.