Zobrazeno 1 - 10 of 19 pro vyhledávání: '"Jurgensen, C. W."'
1
Akademický článek
The effect of pressure on electronic excitations in TCNQ and its complexes.
Autor: Tkacz, M., Jurgensen, C. W., Drickamer, H. G.
Publikováno v: Journal of Chemical Physics; 1/15/1986, Vol. 84 Issue 2, p649, 5p
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
The effect of high pressure on the electronic and infrared spectra of TCNE and its charge transfer complexes with hexamethylbenzene.
Autor: Jurgensen, C. W., Peanasky, M. J., Drickamer, H. G.
Publikováno v: Journal of Chemical Physics; 12/15/1985, Vol. 83 Issue 12, p6108, 5p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Sheath collision processes controlling the energy and directionality of surface bombardment in O2 reactive ion etching.
Autor: Jurgensen, C. W.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 7/15/1988, Vol. 64 Issue 2, p590, 8p, 1 Chart, 2 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Experimental tests of the steady-state model for oxygen reactive ion etching of silicon-containing polymers.
Autor: Jurgensen, C. W., Shugard, A., Dudash, N., Reichmanis, E., Vasile, M. J.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; 1988, Vol. 6 Issue 5, p2938-2944, 7p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Patterning of x-ray masks using the negative-acting resist P(SI-CMS).
Autor: Mixon, D. A., Novembre, A. E., Tai, W. W., Jurgensen, C. W., Frackoviak, J., Trimble, L. E., Kola, R. R., Celler, G. K.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1993, Vol. 11 Issue 6, p2834-2838, 5p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Marks for alignment and registration in projection electron lithography.
Autor: Farrow, R. C., Liddle, J. A., Berger, S. D., Huggins, H. A., Kraus, J. S., Camarda, R. M., Tarascon, R. G., Jurgensen, C. W., Kola, R. R., Fetter, L.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1993, Vol. 11 Issue 6, p2175-2178, 4p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Mark detection for alignment and registration in a high-throughput projection electron lithography tool.
Autor: Farrow, R. C., Liddle, J. A., Berger, S. D., Huggins, H. A., Kraus, J. S., Camarda, R. M., Jurgensen, C. W., Kola, R. R., Fetter, L.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1992, Vol. 10 Issue 6, p2780-2783, 4p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Masks for x-ray lithography with a point source stepper.
Autor: Celler, G. K., Biddick, C., Frackoviak, J., Jurgensen, C. W., Kola, R. R., Novembre, A. E., Trimble, L. E., Tennant, D. M.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1992, Vol. 10 Issue 6, p3186-3190, 5p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Resist etching kinetics and pattern transfer in a helicon plasma.
Autor: Jurgensen, C. W., Hutton, R. S., Taylor, G. N.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1992, Vol. 10 Issue 6, p2542-2547, 6p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Microscopic uniformity in plasma etching.
Autor: Gottscho, Richard A., Jurgensen, C. W., Vitkavage, D. J.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1992, Vol. 10 Issue 5, p2133-2147, 15p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje