Zobrazeno 1 - 10
of 28
pro vyhledávání: '"Junige, M."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Wojcik, H., Merkel, U., Jahn, A., Richter, K., Junige, M., Klein, C., Gluch, J., Albert, M., Munnik, F., Wenzel, C., Bartha, J.W.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2011 88(5):641-645
Autor:
Kilige, S., Bartusseck, I., Junige, M., Neumann, V., Reif, J., Wenzel, C., Böttcher, M., Albert, M., Wolf, M.J., Bartha, J.W.
The copper electrochemical deposition (Cu-ECD) filling capability of high aspect ratio through silicon vias (HAR-TSVs) and homogeneity over 300 mm wafers were investigated on a film stack of thermal ALD (thALD) TaxNy barrier with thermal ALD Ru seed
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______610::c7f72c30a4cddea7fe2496bd8e562f02
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/257912
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/257912
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Wojcik, H., Merkel, U., Jahn, A., Richter, K., Junige, M., Klein, C., Gluch, J., Albert, M., Munnik, F., Wenzel, C., Bartha, J. W.
Publikováno v:
Microelectronic Engineering 88(2011), 641-645
The diffusion barrier properties of PVD Ru and PECVD / PEALD Ru-C films, deposited by RuEtcp2 precursor and N2/H2 plasma, were compared on the basis of bias temperature stress measurements. An MIS test structure was used to distinguish between therm
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4577::82c40a9b89bbb9b2627dd8fd19c27923
https://www.hzdr.de/publications/Publ-15398-1
https://www.hzdr.de/publications/Publ-15398-1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Monitoring atomic layer deposition processes in situ and in real-time by spectroscopic ellipsometry.
Publikováno v:
2011 Semiconductor Conference Dresden (SCD); 2011, p1-4, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.