Zobrazeno 1 - 10
of 22
pro vyhledávání: '"Junctionless MOSFETs"'
Autor:
Muhammad Shaffatul Islam, Md. Soyaeb Hasan, Md. Rafiqul Islam, Ahmed Iskanderani, Ibrahim M. Mehedi, Md. Tanvir Hasan
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 9, Pp 117649-117659 (2021)
In this paper, the performance of GaAs and GaSb based sub-10 nm double-gate junctionless metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (DG-JLMOSFETs) have been studied for high-performance switching applications. The quantum transmitting boundar
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/aeea17b95e5846a6ad3cf174199462ba
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Karim Cherkaoui, T.M. Nazarova, Alexei Nazarov, T. E. Rudenko, Paul K. Hurley, Vladimir Djara, Yu.V. Gomeniuk, V. I. Glotov, Y. Y. Gomeniuk, P. N. Okholin
Publikováno v:
ECS Journal of Solid State Science and Technology. 8:Q24-Q31
In this paper, we study the effect of low-temperature RF plasma treatment in forming gas (10%H2+90%N2) on the electrical characteristics of junctionless MOSFETs with n-In0.53Ga0.47As channel and an Al2O3 gate dielectric. The impact of plasma power de
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0a685cad7a97c8fef77e03c21e80faae
https://doi.org/10.1149/2.0181902jss
https://doi.org/10.1149/2.0181902jss
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Solid-State Electronics, Vol. 107723, no.161, p. 26 (2019)
In this paper, using numerical simulations, analytical modeling and experimental data, we validate the applicability of the transconductance-to-current ratio (gm/ID) derivative (d(gm/ID)/dVG) method for extracting the threshold voltage (VTH) in junct
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::55116d5756e13c0662cb131169066d02
https://doi.org/10.1016/j.sse.2019.107723
https://doi.org/10.1016/j.sse.2019.107723
Інтенсивне зменшення довжини каналу для польового транзистора з контактом металнапівпровідник у якості затвору (MOSFET) накладає значні о
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f772b7779cb39b24673b7ede37ac7f9c
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/72816
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/72816
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.