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pro vyhledávání: '"Junções rasas"'
Autor:
Biasotto, Cleber
Publikováno v:
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron:UNICAMP
Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron:UNICAMP
Orientador: Jose Alexandre Diniz Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação Resumo: Atualmente para atender à necessidade de fabricação dos sensores, dispositivos eletrônicos e circuit
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::78b62606d1fd916d3cc0ad859fe3c075
https://doi.org/10.47749/t/unicamp.2012.899593
https://doi.org/10.47749/t/unicamp.2012.899593
Autor:
Biasotto, Cleber
Publikováno v:
Repositório Institucional da UnicampUniversidade Estadual de CampinasUNICAMP.
Orientador: Jose Alexandre Diniz
Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação
Made available in DSpace on 2018-08-21T20:16:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Biasotto_Cleber_D.pdf: 37
Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação
Made available in DSpace on 2018-08-21T20:16:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Biasotto_Cleber_D.pdf: 37
Externí odkaz:
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/260856
Autor:
Oliveira, Roana Melina de
Publikováno v:
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGSUniversidade Federal do Rio Grande do SulUFRGS.
Foram estudadas a ativação elétrica e a redistribuição de As (dopante tipo n) implantado em SIMOX (Separation by IMplanted OXygen). Estruturas SIMOX com diferentes espessuras da camada superficial de Si e do óxido enterrado foram usadas. As imp
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10183/11793
Autor:
Scherer, Elza Miranda
Publikováno v:
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGSUniversidade Federal do Rio Grande do SulUFRGS.
Nesta dissertação estudamos a possibilidade de uso de implantação iônica de estanho para pré-amorfização do silício cristalino e sua aplicabilidade na tecnologia de fabricação de junções rasas. Foi estudada a amorfização de Si em doses
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10183/8713
Autor:
Orloski, Renata Villela
Publikováno v:
Repositório Institucional da UnicampUniversidade Estadual de CampinasUNICAMP.
Orientador: Lisandro Pavie Cardoso
Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin"
Made available in DSpace on 2018-08-06T14:37:07Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Orloski_RenataVillela_D.pdf: 9544671 b
Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin"
Made available in DSpace on 2018-08-06T14:37:07Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Orloski_RenataVillela_D.pdf: 9544671 b
Externí odkaz:
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278176
Autor:
Renata Villela Orloski
Publikováno v:
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron:UNICAMP
Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron:UNICAMP
Orientador: Lisandro Pavie Cardoso Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin" Resumo: Neste trabalho, a difração Bragg-Superfície (BSD), um caso especial da difração múltipla de raios-X, foi usada
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::2eabdea2c0f2a2bdd462f0413500bce2
Autor:
Dalponte, Mateus
Publikováno v:
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGSUniversidade Federal do Rio Grande do SulUFRGS.
Foi estudado o comportamento do As (dopante tipo n) em dois tipos diferentes de substratos de Si: bulk e SIMOX (Separation by IMplanted OXygen). Ambos os substratos receberam uma implantação de 5x1014 cm-2 de As+ com energia de 20 keV. Após as imp
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10183/7638