Výsledky vyhledávání - "Jr, Eronides F. da Silva"

Application of Quaternary AlInGaN- Based Alloys for Light Emission Devices

Autor: Rodrigues, Sara C. P., Sipahi, Guilherme M., Scolfaro, Luísa, Jr., Eronides F. da Silva

Publikováno v: Optoelectronics-Materials and Techniques

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=intech______::cd5e9532c5d04c75cd9e50b42d3b8923
http://www.intechopen.com/articles/show/title/application-of-quaternary-alingan-based-alloys-for-light-emission-devices

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Correlation between dopant reduction and interfacial defects in low-energy x-ray-irradiated MOS capacitors.

Autor: Vasconcelos, Elder A de, Jr, Eronides F da Silva

Publikováno v: Semiconductor Science & Technology; 1997, Vol. 12 Issue 8, p1032-1037, 6p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Simulation of the early stages of thin film growth.

Autor: Jr, Eronides F da Silva, Stosic, Borko D

Publikováno v: Semiconductor Science & Technology; 1997, Vol. 12 Issue 8, p1038-1045, 8p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Post-irradiation dopant passivation in MOS capacitors exposed to high doses of x-rays.

Autor: Vasconcelos, Elder A. de, Jr, Eronides F. da Silva

Publikováno v: Semiconductor Science & Technology; Nov1998, Vol. 13 Issue 11, p1-1, 1p

Zobrazit plný text záznamu