Intégration hybride de transistors à un électron sur un noeud technologique CMOS

Autor: Jouvet, Nicolas

Cette étude porte sur l’intégration hybride de transistors à un électron (single-electron transistor, SET) dans un noeud technologique CMOS. Les SETs présentent de forts potentiels, en particulier en termes d’économies d’énergies, mais n

Externí odkaz: http://www.theses.fr/2012ISAL0114/document

Hybrid integration of single electron transistor on a CMOS technology node

Autor: Jouvet , Nicolas

Publikováno v: Autre. INSA de Lyon, 2012. Français. 〈NNT : 2012ISAL0114〉
Autre. INSA de Lyon; Université de Sherbrooke (Québec, Canada), 2012. Français. ⟨NNT : 2012ISAL0114⟩

This study deals with the hybrid integration of Single Electron Transistors (SET) on a CMOS technology node. SET devices present high potentiels, particularly in terms of energy efficiency, but can't completely replace CMOS in electrical circuits. Ho

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::10c3a3bab0eda5bfc34dd540c750f261
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00863770/file/these.pdf